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发表于:2025/8/7 上午11:07:00
消息称三星将在本月向AMD与英伟达等提供HBM4样品
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传三星1c DRAM良率突破50% HBM4下半年量产
发表于:2025/7/21 上午8:58:00
英特尔下代AI芯片将采用SK海力士HBM4
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发表于:2025/6/27 下午1:21:00
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发表于:2025/4/28 上午11:25:58
消息称三星电子HBM4内存逻辑芯片进展较佳
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创意电子完成全球首款HBM4 IP于台积电N3P制程投片
发表于:2025/4/3 上午9:13:36
下一代HBM4和HBM4E内存冲击单颗64GB
发表于:2025/3/21 上午11:00:00
SK海力士宣布全球率先向客户提供12层HBM4内存样品
发表于:2025/3/19 上午11:25:37
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2025年全球半导体产业十大看点
发表于:2025/2/10 下午4:15:52
消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年
发表于:2025/1/21 下午1:00:00
三星完成HBM4逻辑基础裸片设计
发表于:2025/1/6 上午10:55:19
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发表于:2025/1/3 下午3:11:51
消息称三星电子启动下代1c nm DRAM内存量产设备订购
发表于:2024/12/11 上午11:39:59
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消息称内存原厂考虑HBM4采用无助焊剂键合
发表于:2024/11/15 上午11:05:20
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发表于:2024/11/15 上午10:15:19
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发表于:2024/11/4 下午1:16:16
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发表于:2024/9/9 上午10:18:38
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英伟达台积电和SK海力士深化三角联盟
发表于:2024/7/15 上午9:07:00
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