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最新设计资源

高频驱动电路与高效GaN HEMT电源模块的实现[电源技术][其他]

为了满足当前电源模块高效大功率的要求，针对氮化镓器件设计一款高频驱动电路，并搭建形成高频高效的电源模块。电路通过调节死区最小化处理模块与非重叠模块，抑制功率器件的大电流直通现象，有助于提升电源模块的效率；利用氮化镓器件的高频特性，使电源系统的工作频率大幅提升。电源系统测试结果表明，1 MHz时输出波形上升沿、下降沿时间分别为10 ns和5 ns；10 MHz时输出波形上升沿、下降沿时间分别为14 ns和8 ns。系统可实现10 W左右的大功率输出。1 MHz和10 MHz工作频率下系统达到的效率分别为93.7%和83.5%。

发表于：2021/7/5

Faster RCNN和LGDF结合的肝包虫病CT图像病灶分割[测试测量][医疗电子]

针对人工阅片工作量大、阅片质量不佳且容易出现漏检、错判等问题，将Faster RCNN目标检测模型应用于肝包虫病CT图像的检测，并对目标检测模型进行改进：基于图片分辨率低、病灶大小不同的特点，使用网络深度更深的残差网络(ResNet101)代替原来的VGG16网络，用以提取更丰富的图像特征；根据目标检测模型得出的病灶坐标信息引入LGDF模型进一步对病灶进行分割，从而辅助医生更高效的诊断疾病。实验结果表明，基于ResNet101特征提取网络的目标检测模型能够有效提取目标的特征，检测准确率相比原始检测模型提高2.1%，具有较好的检测精度。同时，将病灶坐标信息引入LGDF模型，相比于原始的LGDF模型更好地完成了对肝包虫病病灶的分割，Dice系数提高了5%，尤其对多囊型肝包虫病CT图像的分割效果较好。

发表于：2021/7/5

基于强化学习的特征工程算法研究[其他][其他]

特征工程可以自动地处理和生成那些判别性高的特征，而无需人为的操作。特征工程在机器学习中是不可避免的一环，也是至关重要的一环。提出一种基于强化学习(RL)的方法，将特征工程作为一个马尔可夫决策过程(MDP)，在上限置信区间算法(UCT)的基础上提出一个近似的方法求解二分类数值数据的特征工程问题，来自动获得最佳的变换策略。在5个公开的数据集上验证所提出方法的有效性，FScore平均提高了9.032%，同时与其他用有限元变换进行特征工程的方法进行比较。该方法确实可以得到判别性高的特征，提高模型的学习能力，得到更高的精度。

发表于：2021/7/5

从算法发展研究人工智能应用问题与对策[人工智能][其他]

基础硬件的发展带来了算力的提高，深度学习算法的出现和应用奠定了人工智能技术理论基础，Google、百度等高科技公司将人工智能应用的作为重点领域而加大投入，从而加速了人工智能的落地。当前人工智能已成为引领信息产业革命的最重要的技术手段。与此同时，人工智能对人类的潜在威胁也在加剧。对人工智能算法进行分析，归纳算法发展过程及缺陷，并总结这些缺陷可能引发的技术问题和伦理问题。最后，对人工智能的应用，从算法和伦理角度给出一定的对策。

发表于：2021/7/5

2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片的设计[微波|射频][其他]

基于GaAs pHEMT工艺设计了一款2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片。该接收前端芯片包含一个单刀双掷(SPDT)收发开关及一个带旁路功能的低噪声放大器。一方面，采用带源级电感负反馈的共源共栅结构实现了放大器模式，将SPDT开关作为放大器输入匹配网络的一部分，一体化优化设计获得最少元件及较高Q值的输入匹配网络，进而实现低噪声、高增益和良好的输入回波损耗匹配；另一方面，采用多组开关联合实现了旁路功能用于衰减高输入功率的射频信号。测试结果表明，在2.3～2.7 GHz的宽频带范围内，实现的接收前端芯片在LNA模式下的噪声系数可达到1.53～1.64 dB的较低水平，且增益在18.1～19.2 dB之间，在2.5 GHz时输入1 dB压缩点为-1.5 dBm；在旁路模式下，插入损耗在工作频段内维持在约6～7 dB的水平。

发表于：2021/7/5

Ka波段频率源建模分析与设计[其他][其他]

利用锁相环与多次倍频的方式设计了一个Ka波段的用于小型化交会参数探测单元的频率源。该频率源输出频率为36 GHz，输出功率大于15 dBm。在设计时使用数学建模的方法对锁相环各个部分进行建模，然后得到系统的传递函数，通过对闭环系统的系统函数分析，得到能够使系统稳定工作的系统参数。最后使用裸芯片以微组装的形式加工到RO4350和RO5880基板与腔体上，并完成测试。测试结果表明，使用数学建模的方式能够得到稳定工作频率源。

发表于：2021/7/5

基于场路耦合的反激变换器板级辐射研究[电源技术][其他]

辐射干扰问题是制约电源产品高频化、小型化的因素之一。基于场路耦合的仿真思路，建立MOSFET的电磁场有限元模型和高频变压器的等效高频电路模型。结合从SIwave电磁仿真软件中提取的PCB网络参数，对一款5 W输出的反激变换器的板级辐射干扰进行联合仿真，并对比了两种高频变压器模型对远场仿真结果的影响。实验结果表明，在230 MHz以内的频段3 m远场仿真超标频点与实测吻合，验证了该仿真方法的正确性，且简化的变压器二电容模型具有更宽频带的适用性；所得到的近场电磁场分布表明MOSFET和变压器副边的整流二极管是主要的辐射源。

发表于：2021/7/5

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制[微波|射频][其他]

硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点，在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求，基于标准平面MOS工艺，采用平面分栅(split gate)结构，通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内，小信号增益大于19 dB，在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W，功率附加效率达72.4 %，具有优异的射频性能。

发表于：2021/7/5

【莱迪思技术白皮书】为智能工业自动化开发锻造加速引擎[人工智能][工业自动化]

莱迪思(Lattice)半导体继2018年推出面向低功耗网络边缘AI的sensAI，2020年公布面向低功耗嵌入式视觉和面向网络保护恢复可信根的mVision 1.0与Sentry 1.0，及其后续升级版本mVision 2.0和Sentry 2.0后，日前，面向智能工业系统的Automate解决方案集合也正式面世。

发表于：2021/6/29

显示技术：OLED浪潮及其它激动人心的发展趋势 [显示光电][消费电子]

自从平板电脑在20世纪90年代初期采用LCD技术后，现代显示行业开始蓬勃发展。采用LCD技术的产品轻薄便携，当时的CRT技术难以望其项背。在接下来的二十年里，LCD在笔记本电脑和其它小众设备中一统天下，在电视机和显示器中取代了CRT，并在智能手机等新型设备上得到了广泛应用。而今，我们正处于又一次显示技术更迭的初期，新兴的OLED显示技术正在消费终端领域逐步取代LCD的地位。其它一些值得深入研究的技术也纷纷涌现，包括迷你LED、微型LED和微型OLED。这几个名称很相似，也很容易混淆，但无论从它们的优势和有待解决的问题，还是应用范围和所处发展阶段来看，它们都是截然不同的几种技术。

发表于：2021/6/27

医疗智能穿戴设备硬件方案[模拟设计][医疗电子]

随着互联健康概念的兴起，医疗智能穿戴设备市场逐渐扩大，根据市场研究公司Counterpoint Research调查指出，疫情促使消费者健康意识提高，这更使得医疗智能穿戴设备受到市场青睐，增长幅度不断攀高。 本次我们通过技术型分销商Exclpoint世健邀请了来自专业医疗智能穿戴设备领域企业的工程师冯工跟大家分享实战案例。该公司是世健多年的客户，主要从事医学诊断产品研发、生产、销售及服务。而冯工有着深厚的学术和实战经验。

发表于：2021/6/24

在电压反馈(VFB)和电流反馈(CFB)运算放大器之间选择[模拟设计][工业自动化]

电流反馈和电压反馈具有不同的应用优势。在很多应用中，CFB和VFB的差异并不明显。当今的许多高速CFB和VFB放大器在性能上不相上下，但各有其优缺点。本指南将考察与这两种拓扑结构相关的重要考虑因素。

发表于：2021/6/20

IoTConnect平台：解锁数据的潜能[模拟设计][物联网]

据IHS分析师的预计，未来十年中，全球物联网设备的数量将以每年12%的速度增长，到2030年预计总数将达到1250亿台。如此海量的联网设备，其最核心的工作之一就是“生产”数据。

发表于：2021/6/20

漏电流 AN-113[其他][其他]

漏电流是流经保护接地导体到大地的电流。 在没有接地连接的情况下，如果存在导电路径（例如人体），则电流可以从任何导电部件或非导电部件的表面通过人体流到地面。

发表于：2021/6/18

以太网用于运动控制的三个原因[通信与网络][通信网络]

就运动控制而言，以太网、现场总线以及其他技术（如外围组件互连）历来都是相互竞争的，用以在工业自动化和控制系统中获得对一些最苛刻要求的工作负载的处理权限。运动控制应用要求确定性（保证网络能够及时将工作负载传送至预定的节点），这是确保位置保持所必需的，这进而又将确保驱动器的精确停止、适当的加速/减速以及其他任务。

发表于：2021/6/16