近日，应用材料公司宣布推出Aera2 for Lithography系统。半导体制造商通过运用该系统的IntenCD技术可以提升硅片的临界尺寸一致性(CDU)超过20%，增加器件的良率" title="良率">良率并降低每片硅片的图形曝光成本。此外，Aera2 for Lithography系统可以延长光掩膜" title="光掩膜">光掩膜的寿命并提高整个光刻区域的生产力。 

应用材料公司" title="应用材料公司">应用材料公司资深副总裁、硅系统事业部总经理Tom St. Dennis表示：“ 对于45nm及以下技术节点的临界尺寸均匀性要求是非常高的，特别是对于双图形曝光（double patterning）工艺。并且至少一半的临界尺寸的变化来自于光掩膜。通过在光刻区域中采用应用材料公司已被验证的空间成像技术，我们正在帮助芯片制造商追踪并修正光掩膜质量上的偏差，从而获得更精准的图形曝光，缩短光刻周期并延长光掩膜的可用性" title="可用性">可用性。” 

这项新光刻应用的关键是Aera2 平台的IntenCD技术，它能够将整个光掩膜生成高精度、高清晰的临界尺寸均匀性空间图像。用IntenCD图像代替基于硅片的测量结果，做出判断的时间可以从两天缩短到仅仅一个小时。并且由于消除了多次硅片处理步骤可能带来的累积误差，结果的准确性也得到了提高。更准确的均匀性数据使得先进的光刻扫描机可以对临界尺寸的变化作出补偿，大大提高硅片生产中的线宽精度，最终提高产品良率。 

使用IntenCD技术定期检查光掩膜可以大大延长其寿命，这是相当重要的优点，特别是考虑到现在单个关键器件工艺层光掩膜的价值可能超过10万美元。光掩膜的属性在多次累积曝光以后会发生巨大的和非均匀的变化，雾状缺陷生成和镀膜退化引起临界尺寸误差。生产主管可以用预知计划取代传统的定期光掩膜修复，Aera2系统可以缩短光掩膜修复周期，提高其寿命和可用性。 

为了优化光刻周期，业界领先的Applied Tetra Reticle Clean光掩膜清洁系统也可以被使用到光刻区域中，这样光掩膜就不必送到工厂外面去修复了。Aera2和Tetra Reticle Clean系统是应用材料公司强劲的已被验证的光刻解决方案中的最新产品，它们将帮助客户实现成本经济的下一代器件的光刻应用。 

应用材料公司是全球领先的纳米制造技术" title="制造技术">制造技术厂商。公司广泛的产品包括创新的设备、服务和软件。它们被应用于半导体芯片、平板显示器、太阳能电池、软性电子产品和节能玻璃的制造。应用材料公司用纳米制造技术改善人们的生活。欲了解更多应用材料公司的信息，请访问公司网站http://www.appliedmaterials.com