带有旁通性能1SEG用宽带低噪声放大器GaAs MMIC
2008-12-30
作者:新日本无线
新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声" title="低噪声">低噪声放大器(下称LNA)GaAs MMIC NJG1129MD7,现开始样品供货。
近年来,手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加,因终端接收信号灵敏度不足,故具有高增益/高线性" title="高线性">高线性/低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求,开发了NJG1134HA8(08年3月27日发表)。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度,所开发了1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。
该产品是可支持470~770MHz宽频带的LNA,采用W-CDMA用LNA的设计技术,增益可达到15dB typ.(@ f=470~770MHz)(而NJG1134HA8:10dB typ.(@ f=470~770MHz))
并且该产品用GaAs HEMT程序,实现了高线性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)和低噪声(NF=1.4dB typ.)。
另外,为防止离广播电台较近地区等强磁场输入时所导致的放大器失真,设有不经过内置LNA的旁通模式(Low gain模式),实现了低失真(P-1dB(IN)=+12.0dBm IP3=+20.0dBm typ.)
配备高增益和旁通模式,可以稳定地接受信号的NJG1129MD7是最适用于手机和车载等配有1SEG调谐器模块机器。
NJG1129MD7具以下特性,最适于内置1SEG接收器的小型便携式终端。
- 通过旁通性能,在强磁场下也能接受稳定信号。
- 具有低噪声(NF=1.4dBtyp.)特性,有助于提高接受信号的灵敏度。
- 用GaAs HEMT程序,达到了高线性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)
- 内置ESD保护元件,对ESD具有高耐压特性。
产品开发一览
产品名 |
性能 |
应用 |
封装 |
NJG1129MD7 |
带有旁通性能 |
手机,PND,车载导航,车载AV等 |
EQFN14-D7 |
产品性能及特点概要
? 宽带: 470~770MHz
? 工作电压: 2.8V typ.
? 小型封装: EQFN14-D7(Package size:1.6mm×1.6mm×0.397mm typ.)
? 内置ESD保护元件
【High gain模式】
? 低消耗电流: 5.0mA typ.
? 低切换电流: 5μA typ.
? 增益: 15dB typ.@ f=470~770MHz
? 低噪声: 1.4dB typ.@ f=470~770MHz
? 高输入" title="高输入">高输入P-1dB(IN): -6.0dBm typ.@ f=470~770MHz
? 高输入IP3: +1.0 dBm typ.@ f1=470~770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-25dBm
【Low gain模式】
? 低消耗电流: 16μA typ.
? 增益: -4dB typ.@ f=470~770MHz
? 高输入P-1dB(IN): +12.0 dBm typ.@ f=470~770MHz
? 高输入IP3: +20.0 dBm typ.@ f1=470~770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-12dBm
生产计划/样品价格
新日本无线从2008年12月开始发放NJG1129MD7样品,预计从2009年1月投产后月产50万个。样品价格为100日元。