英飞凌推出用于LTE和3G的两颗射频芯片
2009-01-22
作者：英飞凌科技公司
近日，英飞凌(Infineon)科技股份公司在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部宣布，其研发的第二代用于LTE(Long-Term-Evolution)设备的射频发射器件SMARTi LU已可以向客户提供样片。SMARTi LU作为一颗采用65nm技术CMOS工艺的单芯片射频发射器件，能够全面满足2G/3G/LTE各项射频功能，其配置的DigRF数字接口能够与基带芯片直接连接，以充分达到LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率。
与此同时，英飞凌在其久负盛名的3G射频发射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新产品：SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro为超低端3G终端进行了专门的产品优化，采用该器件后，双波段WCAMA/EDGE终端设备的电子射频器件成本可以降低到6.50美元之下。这与目前市场上现有方案相比，成本上有超过40%的下降。
SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel.7和Rel.8规范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射频发射器件。这颗芯片在支持四波段GSM/EDGE的同时，还可以同时支持六个3G和LTE波段。在该芯片丰富的功能列表中，包括LTE FDD class 5(下行速率最大可达150兆比特每秒，上行速率最大可达50兆比特每秒)、MIMO Rx diversity(两个下行+一个上行)、HSPA+、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE。该芯片如此广泛的射频波段支持能力，使其能够极好地与全球HSPA/LTE网络无缝配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4标准的数字基带芯片接口，为手机系统设计“全数字化”树立了一个新的里程碑，使得基带芯片设计向进一步集成化、向32nm或更精密半导体技术前进提供了保障。SMARTi LU基于全球主要半导体生产厂商共同遵循的65nm生产工艺，样片和性能测试报告计划在今年巴塞罗那全球无线大会上全面展示。