美国Dallas公司推出的串行接口实时时钟芯片DSl302可对时钟芯片备份电池进行涓流充电。由于该芯片具有体积小、功耗低、接口容易、占用CPU I/0口线少等主要特点，故该芯片可作为实时时钟,广泛应用于智能化仪器仪表中。
　　笔者在调试中发现,在对DSl302编程中有几个问题易被疏忽而导致错误，现提供给读者参考。
1 读操作出现的错误
　　按照参考文献[2]的读操作程序框图和参考文献[1]、[2]所叙述的可知：单字节读操作每次需16个时钟，地址字节在前8个时钟周期的上升沿输入，而数据字节在后8个时钟周期的下降沿输出。据此结合图1的硬件连接图编制出了如下的单字节读程序：

　　DS_READ:SETB 　　P1.2 　　；令＝0。
　　　　CLR 　　P1.1 　　；令SCLK＝0。
　　　　CLR 　　P1.2 　　；令＝1，启动芯片。
　　　　LCALL DS_WSUB 　　；写8位地址。
　　　　LCALL DS_RSUB 　　；读出8位数据。
　　　　RET
　　DS_WSUB:MOV 　　R7，#08H
　　WL00P: RRC 　　A　　　　；A为地址字节。
　　　　MOV 　　P1.0，C
　　　　SETB 　　P1.1　　；在时钟上升沿
　　　　NOP　　　　　　；输入地址字节。
　　　　CLR 　　P1.1
　　　　DJNZ R7,WL00P
　　　　RET
　　DS_RSUB:SETB 　　P1.0 　　；为读数据作准备。
　　　　MOV R7,#08H
　　RL00P：SETB 　　P1.1
　　　　NOP
　　　　CLR　　P1.1　　；在第9个正脉冲的下
　　　　MOV　　C，P1.0　　；降沿开始输出数据。
　　　　RRC　　A　　　　；A中为读出的数据。
　　　　DJNZ R7，RL00P
　　　　RET
　　若使用如下程序对DSl302的RAM1(其内容为5AH)进行读操作
　　READ：MOV A,#11000101B ；RAMl单元的读地址。
　　　　　LCAll DS_READ ；调用读子程序。
　　则程序执行后A中的数据为2DH，显然读出的数据不正确。若再使用一条RL A指令调整后，则A中为5AH，结果才正确。由此说明：使用上述程序读出的RAM1单元中的第0位数据实为第1位数据，读出的第7位数据实为第0位数据。
　　经笔者仔细研究时序图和多次试验得知，问题的原因在于：对于读操作时序，在SCLK出现第8个正脉冲时，上升沿输入地址字节的最后一位数据，而在此正脉冲的下降沿就要输出数据字节的第0位数据。然而笔者的程序中是在第9个正脉冲的下降沿才误认为输出了数据字节的第0位数据，此位数据事实上是第二个下降沿输出的，故实为数据字节的第1位数据。经笔者实验：只要保持为高电平，如果超过8个下降沿，它们将重新从第0位输出数据位，因程序中输出的最后一位数据位，是第9个下降沿输出的数据位，故实为数据字节的第0位数据位。
　　由此可见，单字节读操作的时序图如改为图2所示时序图，则读者较容易理解可避免发生上述编程错误。

　　只要将上述的DS_RSUB子程序改为如下的子程序即可解决上述问题：
　　DS_RSUBl：SETB P1.0　　；为读数据作准备
　　　　MOV R7，#08H
　　RL00P：　　CLR P1.1　　　　；SCLK第8个正脉冲的
　　　　MOV C，P1.0　　；下降沿开始输出数据。
　　　　RAC
　　　　SETB 　　P1.1
　　　　DJNZ 　　R7，RL00P
　　　　RET
2 禁止涓流充电出现的错误
　　涓流充电寄存器(TCR)控制着DSl302的涓流充电特性。据参考文献[1]、[2]介绍，寄存器的位(TCS)4～7决定着是否具备充电性能。仅在1010编码的条件下才具备充电性能，其它编码组合不允许充电。位2和3(DS)则在VCC2和VCC1之间选择是一个还是两个二极管串入其中。如果编码是01，选择一个二极管；如果编码是10，选择两个；其它编码将禁止充电。该寄存器的0和l位(RS)用于选择与二极管相串联的电阻值，其中编码01为2kΩ；10为4kΩ；11为8kΩ；而00将不允许充电。笔者编制了如下的允许涓流充电的控制程序(选择一个二极管,充电限流电阻为4kΩ)：
　　SETB 　　P1.2　　　　；令＝0
　　CLR 　　P1.2 　　　　；令SCLK＝0
　　CLR 　　P1.2　　　　；令＝1
　　MOV 　　A,#90H　　　　；TCR的写地址
　　LCALL DS_WSUB
　　MOV 　　A,#10100110B 　　；TCR的命令
　　LCALL DS_WSUB
　　用万用表串入Vcc1与可充电池之间，执行程序后，则有电流流过万用表，表示充电正常。笔者通过将上述程序的第6句改为：MOV A,#10100010B，即置DS为00来禁止涓流充电器工作。执行程序后，在Vcc1与电池之间串入万用表，则仍有电流流过，表示尚未禁止充电。若将第6语句改为：MOV A,#10101110B，即置DS为11，执行上述程序后情况仍如此。若将第6语句改为：
　　MOV A,#01010110B 即TCS≠1010
　　或：　　MOV A,#10100100B 即RS＝00则充电被禁止。
　　笔者误认为芯片损坏，换上另一新购置的芯片，结果仍如此。随即笔者取下图1所示电路中的可充电池，换上一标称为10kΩ的电阻对芯片进行了测试，测试结果如表1所示VCC2＝5V。