Spansion公布基于SONOS的MirrorBit ORNAND 系列产品开发计划
2007-11-19
作者:Spansion公司
全球最大的纯闪存解决方案" title="闪存解决方案">闪存解决方案供应商Spansion(NASDAQ:SPSN)今日宣布计划开发下一代数据存储产品系列,MirrorBit ORNAND 架构。基于Spansion专有电荷捕获" title="电荷捕获">电荷捕获技术的新型MirrorBit ORNAND2?架构将在连接于NAND存储器阵列中采用类似SONOS的45nm" title="45nm">45nm存储单元" title="存储单元">存储单元,具有快速写入和高封装密度的特点--将NAND技术的性能和成本优势与300mm晶圆" title="晶圆">晶圆的成本结构优势发挥到最佳。
基于新型架构的产品将主要面向集成闪存市场中的数据存储应用领域;在这种市场中,客户注重的是差异化、高价值的解决方案。新的架构将通过45nm系列解决方案扩大现有MirrorBit ORNAND产品系列;与Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND产品相比,不但能将掩膜(mask layer)层的大小减少25%,其品质也远胜于浮动门NAND解决方案。MirrorBit ORNAND2产品预计将于2009年初投放市场。
新的架构基于Spansion专有MirrorBit技术――目前,采用MirrorBit技术的解决方案总销售额达20亿美元,占整个NOR闪存市场的22%。通过采用通用的技术平台和利用40nm以下的MirrorBit技术具有的可扩展性优势,在同一晶圆厂中可以实现MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2产品的高效生产。
Spansion研发事业部执行副总裁Lou Parrillo博士表示:“Spansion是唯一一家成功实现电荷捕获存储技术大量应用的公司。凭借我们专有的先进的MirrorBit技术、300mm晶圆生产能力以及预计与NAND相当的性能,我们能够进一步扩大已有产品组合,并加快MirrorBit技术的发展步伐。”
Spansion正利用在其专有MirrorBit技术应用的过程中所积累的经验来为MirrorBit ORNAND2技术开发一种专有的类似SONOS的存储单元。不同于此前业界生产商试图开发商用化SONOS存储单元而未获成功的情况,Spansion相信,通过架构性的革新和已获证明的生产技术相结合的独特方法,一定能实现最佳性能并加快投产的速度。
目标分析(Objective Analysis)总监Jim Handy表示:“随着技术在伸缩曲线上的日渐走低,传统的浮动门闪存在45nm及以下工艺中正逐渐失去竞争力。许多公司都提出将电荷捕获技术作为一种解决办法。Spansion的电荷捕获技术投产已达四年之久,使公司相较竞争对手而言占据先机。而Spansion基于类似于SONOS的存储单元结构的下一代MirrorBit ORNAND2架构必将进一步发挥这种领先优势,扩大公司在目前由NAND独霸天下的各个领域中的市场机会。”
关于 Spansion
Spansion(NASDAQ:SPSN)是领先的闪存解决方案供应商,致力于为无线、汽车、网络和消费电子应用提供数字内容的支持、存储和保护。Spansion的前身是一家由AMD和富士通合资的公司。它是全球最大的专门致力于设计、开发、生产、营销和销售闪存解决方案的公司。如需了解更多信息,请访问:www.spansion.com/cn或www.spansion.com。
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警告性声明
本新闻稿涉及符合《1995 年美国私人证券诉讼改革法案》安全港规则的前瞻性声明,其中包括: MirrorBit ORNAND2架构能充分发挥NAND技术的性能和成本优势以及300毫米晶圆出色的成本结构;与采用65纳米工艺技术的MirrorBit ORNAND产品相比,采用45纳米工艺技术的MirrorBit ORNAND2架构将掩膜层的大小减少了25%;计划于2009年初将MirrorBit ORNAND2产品投放市场;预期在同一晶圆厂中可实现MirrorBit NOR产品和新型MirrorBit ORNAND2产品高效生产;采用MirrorBit ORNAND2技术且类似于SONOS的存储单元解决了多种基本问题,比如通过较厚的隧道氧化层来解决常规SONOS产品面临的数据保留与擦除速度折衷问题;浮动栅NOR在45纳米及以下工艺中将失去竞争力;MirrorBit ORNAND 2架构将扩大Spansion在目前由NAND独霸天下的各个领域中的市场机会;以及Spansion将按计划完成与Saifun半导体公司的并购。投资者必须注意,由于本稿件中的前瞻性陈述涉及风险和不确定性,因此,结果可能与公司的当前预期存在重大差异。公司认为可能导致实际结果与前瞻性陈述所阐述的结果存在重大差异的重要风险因素包括:对公司闪存产品的需求可能低于预期;平均销售价格可能下降;专利或其他知识产权侵权诉讼风险增大可能导致重大知识产权损失;经历过严重衰退的闪存市场具有极高的周期性;Spansion在节省开支方面所做努力可能成效不大;与Saifun的并购可能不会带来预期收益,或者并购遇到任何延迟或遭遇失败可能给公司带来不利影响;OEM会越来越多地在其应用中选择基于NAND的闪存产品,而抛弃基于NOR、MirrorBit ORNAND和MirrorBit ORNAND2架构的闪存产品;Spansion沉重的债务可能给契约的签订带来一些限制;现金流及外部融资不足等因素可能使公司无法执行设施及产能落实计划;公司可能失去主要客户,或者主要客户的需求量可能减少;公司可能无法成功地开发、推出并商品化新产品和技术,或者无法加快产品开发周期;竞争对手可能推出新的存储或其他技术,使我们的闪存产品过时或失去竞争优势;公司可能无法开发基于MirrorBit ORNAND和MirrorBit ORNAND2架构的闪存产品,或者客户不认同这类产品;公司可能经受生产限制,或者无法提升生产效率;客户更改预订订单的行为可能导致库存过剩;公司的研发投入可能不能带来技术的及时改进;以及,知识产权诉讼可能使公司发生巨额费用,或者支付巨额赔偿费用,或者致使其产品遭到禁售。公司建议投资者的证券交易委员会仔细评估这些风险和不确定性,包括但不仅限于 2006 年 12 月 31 日财政年度结束时的年度报表 10-K 和 2007 年 7 月 1 日财政季度结束时的季度报表 10-Q。公司不负责更新此新闻稿中提及的前瞻性声明或信息。
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Spansion?、Spansion 标志、MirrorBit?、MirrorBit? Eclipse?、ORNAND?、ORNAND 2?、HD-SIM?及其组合均为Spansion LLC在美国和其他国家注册的商标。其他名称只供信息识别之用,可能是它们各自所属企业的商标。