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联发科:TD-LTE芯片研发引入竞争扩大市场需求

2011-07-11
作者:EEworld
来源:EEworld
关键词: NGN|4G TD终端 芯片

  通信产业报(网):目前,终端芯片的发展趋势有哪些?

  吕向正:TD终端芯片的发展趋势主要体现在以下五个方面:

  1.调制解调器(Modem):向HSPA升级,并进一步往HSPA+发展。HSPA+是新型高速分组接入(HSPA)无线宽带技术,可提供比3G网络更高的数据吞吐能力。

  2.时尚多媒体:支持更高像素(200万~500万)的摄像头、3.2英寸HVGA高清大屏幕和中国移动多媒体广播(CMMB,以TD终端为主)。

  3.移动互联网:苹果产品(iPhone、iPad)的流行以及中国移动广布WiFi热点,使无线互联网和WiFi接入逐渐成为TD终端芯片必须支持的个人随身热点应用。

  4.用户体验:类智能用户界面(UI)需求,包括3D画面和全网页浏览器,全面提升用户的互联网体验。

  5.近距离通讯(NFC):其应用技术也是TD热门发展趋势之一。

  通信产业报(网):目前,备受国内关注的TD-LTE的终端芯片相对其它三种芯片还需要在哪些方面提高?TD-LTE终端芯片未来的发展路径是什么?

  吕向正:不同制式网络的终端芯片发展速度不同。

  EVDO:该技术仅为极少数的芯片厂商所独占,芯片产品从现有的Rev.A向Rev.C进展,但其中领先的厂商也开始支持多模FDD-LTE。

  TD-LTE:芯片从单模发展到多模,而且向下与现有的GSM、TD-SCDMA等技术相兼容。目前各方都在做积极的技术准备。FDD-LTE:芯片在欧美与日本开始小规模地进入商用,向下也支持2G/3G技术,已从3GPPR8发展到了R9标准。

  TD-LTE终端芯片首先要扩大市场需求,才能拥有像HSPA+或EVDO一样的经济规模,从而加速技术演进,最终达到成本收益目标。TD-LTE终端芯片未来的发展路径势必是更高集成度、更低功耗和更低成本的方向;多模多频必将成为主流。

  通信产业报(网):目前,TD-LTE终端芯片的发展还面临哪些挑战?

  吕向正:除了常见的终端发热与功耗过高等等情况,TD-LTE的Band40和Band7信号与ISMBand过于接近也是一个突出的难题,这会导致LTE信号与蓝牙(Bluetooth)或Wi-Fi信号互相干扰。此外,日后支持国际漫游的频段,智能终端合理的成本与大小,兼顾产品性能的同时又要兼顾许多天线与射频通讯模块的设计,此类种种都将是TD-LTE终端芯片发展的挑战。

  通信产业报(网):TD-LTE商用时,将会面对中国联通和中国电信的3G网络的竞争,在终端芯片方面,TD-LTE终端芯片在竞争中有哪些优势?

  吕向正:TD-LTE芯片的优势在于中国至今已有不少厂商投入TD-LTE技术的发展,在产业自主化与对国际标准的掌握上,已经具有了相当优势。从长期来看,国内TD-LTE芯片的自主研发可避免传统3G技术任由国外大厂控制宰割的局面。

  就TD-LTE而言,首先需要相当长的时间与巨额的成本来广泛建设基站;单模TD-LTE芯片的应用与市场有限,必须要多模才能适合移动智能终端的发展。

  使用UMTS/HSPA的中国联通和使用CDMA/EVDO的中国电信,两者皆有庞大的国际市场与相应的供货商产业链。面对来自两者的激烈竞争,中国移动在推广TD-LTE时必须将蛋糕做大,吸引同时具备GSM、TD-SCDMA、LTE和WiFi等技术的芯片厂家进入市场,后来的新技术才会有竞争力。

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