《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 嵌入式技术 > 业界动态 > 无线基础设施被视为日益增长的砷化镓集成电路市场

无线基础设施被视为日益增长的砷化镓集成电路市场

2011-08-30
来源:Csia

  根据市场战略研究公司StrategyAnalytics分析:全球无线网络基础设施中使用砷化镓(GaAs)半导体的市场预计将增长,从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。
  
  随着移动数据消费的持续猛增,运营商正在改进其无线基础设施网络架构,以支持日益增长的数据需求,根据StrategyAnalytics公司(波士顿)报告。该公司的最新报告关于砷化镓和复合半导体市场的预测,像多输入/多输出(MIMO)天线,异构网络,远程无线和小单元的发展将增加基地站部门的数量,但需要从每个部门减少发射功率。这两个趋势将为砷化镓器件带来始终如一的增长率,根据StrategyAnalytics报告。
  
  在StrategyAnalytics的战略技术实践董事,AsifAnwa在一份声明中说:“4G技术,如LTE,正在迫使网络演变到大量的低功耗的基础设施部门,这将增加GaAs放大器的机会。”
  
  StrategyAnalytics的报告预测,基站部门的出货量将增加至略多于920万到2015年。这些部门的一半以上将用于低功耗,小单元,据预测。
  
  “移动数据消费正在迅速推动无线基础设施市场的一个转折点,”EricHigham,StrategyAnalytics的GaAs和化合物半导体技术服务总监,在一份声明中说。“运营商实现的网络依赖更小,功耗更低的电池足迹,确保消费者继续欢迎数据应用。这种架构扩展砷化镓元件的机会。”
  
  该报告还详细介绍了天线,功率放大器,低噪声放大器,收发器和前端组件的历史和最新发展趋势,StrategyAnalytics表示。它还按功能和技术将无线基础设施放大器市场分段,按照地理,频率和输出功率预测基站部门数量,根据公司报告。
  
  

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。