三星电子(SamsungElectronics)2012年第2季将推出电力芯片产品，这是自1999年三星将电力半导体厂抛售给快捷半导体(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的电力芯片产品。据南韩电子新闻报导，三星2011年5月与三星综合技术院组成电力芯片共同研究开发小组，才经过3个月时间，已完成制程技术研发，正以飞快的速度推动商业化。
　　
　　三星相关人员指出，三星已开发出电力芯片中需求骤增的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的生产制程技术，该制程安定化、磊晶成长、封装等技术研发则仍在进行当中，预计2011年内可完成产品开发。三星计划2012年第2季投入IGBT量产，并正式展开电力芯片事业。
　　
　　三星在研发制程技术的同时，为避免产生电力芯片相关专利纷争，已事先取得快捷半导体及相关业者的交*授权。1999年面临汇率危机和专利纠纷，成为三星决定终止电力芯片事业的主要原因。在三星决定重新展开电力芯片事业之余，将尽力避免重蹈覆辙。
　　
　　快捷半导体表示，无法对外透露相关详情。三星将电力芯片事业抛售给快捷半导体，然近来IGBT相关业者已增加至10多间。
　　
　　三星将研究范围扩大至氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等新原料。推估电力芯片事业将会成为非内存事业的一大轴心。IGBT为控制10A以上大电流的芯片原料，可应用在电动车、汽车、电梯等用电量较大的产品上，可控制流通或阻断电流。2011年市场规模达9亿美元。
　　
　　南韩业者指出，由于内存事业逐渐走下坡，三星将重心转移到行动应用处理器、CMOS影像传感器等系统LSI事业。三星的生产能力优秀，若决定进入2011年全球市场规模达152亿美元、每年出现11.5%高成长的电力芯片市场，成为市场核心的可能性破高。