富士通首推两款125℃规格的低功耗SiP存储器
2009-05-27
作者：富士通
富士通(Fujitsu)微电子(上海)有限公司日前宣布推出两款新型消费类FCRAM存储器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。这两款芯片支持DDR SDRAM接口，是业界首推的将工作温度范围扩大至125℃的芯片。富士通微电子已开始提供这两款新型FCRAM产品。这两款低功耗存储器适用于数字电视、数字视频摄像机等消费类电子产品的系统级封装(SiP)。
如果SiP架构上的片上系统(SoC)整合了新型FCRAM芯片，当SiP工作速度提高导致工作温度上升时，存储器也不会对操作造成影响或限制，客户将从中受益。此外，它还具有其它优势，如可降低产品设计开发难度，节省电路板空间，并减少元器件数量。
目前，市场对消费类数字产品的性能、速度和开发成本的要求越来越高。为满足这些需求，就会更多地使用SiP，要求它同时整合带有SoC的存储器芯片。使用SiP可以减少元器件数量并节省电路板空间，进而能够降低系统成本。使用SiP还能简化高速存储器开发或采取降噪措施等设计。
即使在125℃的环境下运行，这些新型FCRAM产品也可以提供传统DDR SDRAM存储器两倍的数据传输率，同时还能保持低功耗。事实上，与传统的DDR2 SDRAM存储器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗达50%。所以，这些新型FCRAM可以减少消费类电子产品的存储器的二氧化碳排放达50%。
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