(1)业内最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版)；

   瑞萨大幅提高了新产品的工作速度，同时还通过利用先进的45nm生产工艺而保持了低压操作。QDRII SRAM产品实现了业内最高的工作速度——333 MHz，QDRII+ SRAM产品也达到了业内最高的工作速度——533 MHz。这些器件可以支持高端路由器与交换机(其支持10G、40G和容量更大的多层通信系统)内的分组查找和包缓冲器应用所需的高速处理。

(2)大量72Mb器件；

   瑞萨将为3种数据I/O宽度(9、18或36位)和2种突发长度(2或4字)的产品提供支持。此外，瑞萨还提供具有内置式ODT(晶片上终端电阻)功能的产品，极大地降低了高速操作过程中可能发生的信号质量下降。瑞萨丰富的QDRII、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM产品系列使得用户能够选择最符合其系统要求的解决方案。

   新产品均提供所有突发长度和位宽度组合，并且标准HSTL(高速晶体管逻辑)接口用于超高速同步SRAM.

   新产品采用165-引脚塑料FBGA封装，尺寸为15 mm × 17 mm，具有出色的散热特性，适于大密度安装。这些产品符合RoHS指令*4的要求，还提供无铅版本。QDR引脚配置支持将来向高达288Mb的密度无缝移植。并且，采用FBGA封装的产品支持IEEE标准测试存取端口和边界扫描架构(IEEE标准1149.1-1990)，能够在板级模块安装过程中实现交叉连接检查。

   对于将来该领域的开发，瑞萨制定了长远的发展规划，并致力于开发容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM产品以支持不断变化的用户需求。