KLA-Tencor" title="KLA-Tencor">KLA-Tencor 公司（纳斯达克股票代码：KLAC）今天推出 Aleris? 系列薄膜度量" title="薄膜度量">薄膜度量系统，该系列从 Aleris 8500 开始，是业界第一套将可用于生产的成份与多层薄膜厚度测定结合在一起的系统。其它 Aleris 系列系统将在未来数月内以不同配置推出，以满足 45nm 节点及以下尺寸所有薄膜应用的性能与 CoO 要求。 

KLA-Tencor 的薄膜与散射测量技术部 (Films and Scatterometry Technologies) 副总裁兼总经理 Ahmad Khan 表示：“随着显著影响设备性能与可靠性的新型材料与设备结构的大量涌现，我们的客户需要更加详细地了解其关键薄膜层的物理与化学特性。Aleris 8500 系统在核心光学技术领域取得的进展将提供目前可以达到的最精确的厚度测量。现在，凭借该系统的新型成份测定功能，处于技术前沿的客户能够监控产品晶片上的门控" title="门控">门控及其它关键层。Aleris 8500 系统还具备显著改善的 2D" title="2D">2D 应力度量功能，以管理越来越多的高应力层。” 

迄今为止，芯片制造商" title="芯片制造商">芯片制造商一向是购买单独的分析与传统光学厚度测量工具来提供厚度与成份测定。这种混搭方法意味着要忍受拙劣的工具与工具搭配、困难的容量备份及不兼容的方法等各种低效率作法。Aleris 将所有可用的先进关键薄膜度量应用集中到单独一个平台上，从而帮助芯片制造商提高所有权成本，并加快了获得结果的速度。Aleris 8500 可提供比现有分析方法高出 3 倍的产能，且其非真空光学技术克服了传统分析工具的可靠性限制。这些完善的生产优势让 Aleris 8500 成为成份控制的最佳 CoO 解决方案。 

Aleris 8500 系统以该公司领先业界的 SpectraFx 200 技术为基础，主要采用下一代宽带光谱椭圆偏光法（Broadband Spectroscopic Ellipsometry，BBSE?）光学元件，在精密度、匹配度及稳定性等方面匀有显著改善。此技术让芯片制造商能够检验和监测先进的薄膜，包括新型材料、结构与设计基底。该系统独特的 150nm BBSE 可为成份测定提供更好的灵敏度，使 Aleris 8500 成为业界第一款可用于产品晶片上的关键门控应用之生产监测的单一工具解决方案。Aleris 的 StressMapper? 模块能够以更高的产能提供更高的空间分辨率，可用于高应力薄膜中 2D 应力的生产监测。 

Aleris 8500 系统已经运抵若干重要客户，正用于 65nm 门控生产及 45nm/32nm 开发。 

关于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是为半导体制造及相关行业提供产能管理和制程控制解决方案的全球领先企业。该公司总部设在美国加州的圣何塞市，销售及服务网络遍布全球。KLA-Tencor 跻身于标准普尔 500 强公司之一，并在纳斯达克全球精选市场上市交易，其股票代码为 KLAC。有关该公司的更多信息，请访问 http://www.kla-tencor.com。 

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Aleris 8500 技术概要

出类拔萃的性能

先进的 BBSE 光学元件 

最新一代的更高分辨率光学元件可实现从 150nm 到 900nm 广泛波长光谱范围内的薄膜测量。所有主要 SE 组件均经重新设计，以降低光谱失真，并改善系统对系统的匹配性。 

KLA Tencor 使用的专利反射式聚焦光学元件可让照明点尺寸独立于波长，从而避免其衰减。小点尺寸，以及匹配度、精密度及稳定性的提升可满足拥有更小划线之先进设计节点的更严格的工艺容差。  

 

最佳的反射式测定法选项  

紫外线反射计 (UVR) 的新型设计可提供最佳的信噪比（比上一代要好 10 倍以上），以改善整体测量性能。

实现新的应用

成份测定 

与上一代工具相比，Aleris 8500 的 150nm BBSE 功能可提供 2 倍更好的可重复性及 4 倍更好的匹配度，从而增强了对成份测定的灵敏度。这让 Aleris 8500 能够成为控制关键氮化门控与高介电常数应用所需之产品晶片成份与厚度测定的单一工具解决方案。  

增强對超薄 ONO 堆栈的灵敏度 

150nm BBSE 实现了 ONO 堆栈内高度相关的顶部与底部氧化层的测量。相关程度由分离两种氧化物的氮化物层的厚度所驱动，它正变得越来越薄，并提出了更大的相关性挑战。因为氮化物薄膜在较短的波长下可增加吸收特性，所以使用较短的波长将增加顶部和底部氧化物的对比。  

StressMapper 提供先进的应力功能 

StressMapper 基于激光的斜度测量可提供更高的敏感度与空间分辨率，实现真正的 2D 局部应力测绘。显著增强的可重复性与匹配度及高产能允许对有复杂薄膜堆栈、间断薄膜或外形诱发应力的产品晶片同时实施全局与 2D 应力测量的生产监控。此模块实现了 FEOL 低偏差与高应力薄膜的测量，例如氮化硅覆盖与植入物退火。