ARM近日发布了ARM® Cortex™-A9 MPCore™处理器优化包（POP），将应用于GLOBALFOUNDRIES 28纳米超低功耗高K金属栅（HKMG）制程技术。为移动设备、网络和企业级应用进行优化的ARM 28纳米超低功耗超高性能处理器优化包，能够帮助Cortex-A9处理器在严苛的条件下达到1GHz至1.6GHz，并在典型条件下达到2GHz。通过ARM Artisan®物理IP平台和Cortex-A9处理器优化包，系统级芯片（SoC）设计商可拥有更大的灵活性，优化设计性能和功耗效率。

    GLOBALFOUNDRIES设计实现战略和联盟部门副总裁Kevin Meyer表示：“为了因应消费者对于高性能、低功耗效率移动设备的需求正不断增长，GLOBALFOUNDRIES和ARM正利用基于已经验证的28纳米系统级芯片制程技术，提供优化的Cortex-A9内核，降低客户的风险。ARM针对我们的28纳米超低功耗制程技术推出的最新物理IP解决方案，提供了业内领先的性能和功耗效率，也缩短了客户最新移动产品的上市时间。”

    GLOBALFOUNDRIES 28纳米超低功耗（SLP）平台是在该公司已投产验证的32/28纳米HKMG技术的基础上，专为节能要求严格的移动设备及其他消费应用而设计。ARM已经推出了支持GLOBALFUNDRIES 28纳米超低功耗制程的全面Artisan物理IP平台。该平台包括9轨、12轨大小的多阈值电压基础单元库、电源管理工具包、ECO工具包、ARM Artisan高密度/高性能内存以及GPIO。這些IP都可以通过ARM DesignStart™在线门户所获取。

    ARM物理IP部门市场副总裁John Heinlein表示：“消费者正逐渐依赖智能手机作为使用各种应用的平台。为了实现客户对用户体验的期望，OEM厂商及其半导体供应商必须为所提供的移动设备保证高性能和低功耗。基于单核或双核Cortex-A9 处理器的移动设备已经能够广泛地满足这一要求，而最新的28纳米处理器优化包（POP）则进一步保证了竞争优势。”

    ARM处理器优化包（POP）包括三款实现ARM内核优化的必要核心组件。第一个是为ARM内核和制程技术特别订制的Artisan物理IP逻辑库和L1内存库。这项物理IP是ARM处理器与物理IP两部门紧密合作并经过反复实验的最优研发结果。第二个是综合基准测试报告，它记录了ARM内核实施所需要的确切条件和产生的结果。最后一个是处理器优化包（POP）使用指南，详细记录了每个实施方法与个别的结果，以保证终端客户可快速地在低风险下获得相同的结果。

    欲了解更多关于ARM Artisan 物理IP解决方案的信息请访问：http://www.arm.com/products/physical-ip/index.php

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