中微推出用于3D芯片及封装的硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E(TM)
具备超高产能，单位投资产出率高出同类产品30%，已进入中国昆山西钛和江阴长电
2012-03-17
上海和旧金山2012年3月15日电 /美通社亚洲/ -- 中微半导体设备有限公司( 8英寸硅通孔（TSV）刻蚀设备Primo TSV200E(TM) -- 该设备结构紧凑且具有极高的生产率，可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子刻蚀设备Primo D-RIE(TM) 和Primo AD-RIE(TM)之后，中微的这一TSV刻蚀设备将被用于生产芯片的3D封装、CMOS图像感测器、发光二极管、微机电系统等。中微的8英寸硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E(TM)已经进入昆山西钛微电子和江阴长电的生产线，以支持其先进的封装生产制造。预计中微不久还将收到来自台湾和新加坡的订单。
中微的TSV刻蚀设备和同类产品相比有相当多的优点，在各种TSV刻蚀应用中表现出色。这些优点包括：双反应台的设计有效提高了产出率；独特设计的预热腔室保证了机台运行的高可靠性和高效能；独特的气体分布系统设计大大提高了刻蚀均匀性和刻蚀速率。这些特点使中微TSV刻蚀设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%。
中微此次推出的TSV刻蚀设备Primo TSV200E(TM)标志着公司在发展历程中又迈出了新的一步，使中微的设备进入了这一快速发展的市场前沿。据市场调查公司Yole Developpement*预测，三维芯片及晶圆级封装设备的市场规模今年将达到7.88亿美元，2016年将攀升至24亿美元。TSV刻蚀设备将占据市场份额的一大部分，而其中的强劲需求多来自于中国企业。
中微开发TSV刻蚀设备恰恰满足了这样的需求。CMOS图像传感器、发光二极管、微机电系统以及其他许多装置都离不开微小的系统级芯片（SoC），而3D IC技术则是实现系统级芯片的必要条件。随着半导体关键尺寸日益缩小，采用新的堆叠处理方法势在必行。先进芯片变得日益复杂，就要求必须在能耗和性能之间寻求平衡。通过芯片的堆叠，连接线比传统的键合线更短，这就提高了封装密度，加快了数据传输和处理速度，并降低了能耗，所有这些在更小的单元中就可以实现。
江阴长电赖志明总经理表示：“3D IC封装是江阴长电先进封装的发展方向，技术关键是TSV工艺集成。中微的TSV刻蚀设备体现了出色的工艺性能，很好地支持了江阴长电先进封装的新产品开发，并能始终保持竞争优势。我们很高兴能与中微合作。”
昆山西钛的周浩总经理说道：“中微是昆山西钛在先进封装生产中的一个重要合作伙伴，昆山西钛很愿意和这样一个邻近的半导体刻蚀设备供应商合作，来支持我们在TSV技术方面的需求。中微的8英寸硅通孔刻蚀设备经过不断的改进，现有设备已证明有很好的工艺性能、高产出率和低生产成本，这些都为确保我们产品的高质量奠定了重要基础。”
“对于我们TSV刻蚀设备的客户来说，提高生产率和单位投资产出率无疑是极其必要的。”中微副总裁倪图强博士说道，“客户的产品线在不断演变，这就意味着他们需要这样一种设备 -- 可以灵活、最大范围地刻蚀加工各种产品。而客户采用了Primo TSV200E(TM)就能以更快的速度加工晶圆片，同时保证高可靠性和低成本。我们很高兴中微首批TSV刻蚀设备已经进入了像昆山西钛微电子和江阴长电这样的创新型企业。”
Primo TSV200E(TM)的核心在于它拥有双反应台的反应器，既可以单独加工单个晶圆片，又可以同时加工两个晶圆片。中微的这一TSV刻蚀设备可安装多达三个双反应台的反应器。与同类竞争产品仅有单个反应台的设备相比，中微TSV刻蚀设备的这一特点使晶圆片产出量近乎翻了一番，同时又降低了加工成本。此外，该设备具有的去耦合高密度等离子体源和偏置电压使它在低压状态下提高了刻蚀速率，并能够在整个工艺窗口中实现更高的灵活度。中微具有自主知识产权的气体分布系统设计也提高了刻蚀速率和刻蚀的均匀性，并在整个加工过程中优化了工艺性能，射频脉冲偏置则有效减少了轮廓凹槽。
中微8英寸硅通孔刻蚀设备现已面市，12英寸的硅通孔刻蚀设备也正在研发中。欲了解更多关于设备的详细信息，请访问 http://amec-inc.com/products/TSV.php?lang=zh_CN。
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