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IR 推出适用于汽车的 DirectFET®2 功率 MOSFET,实现卓越的功率密度和性能

2010-01-27
作者:IR

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻
  IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅,与传统标准塑料封装元件相比,可降低整体系统级尺寸和成本,实现更优异的性能和效率。
  IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 结合了经过实践验证的 DirectFET 封装技术带来的卓越可靠性和性能,以及 IR 的最新沟道硅工艺。新款 DirectFET2 器件在应用于下一代车辆平台时可以达到最佳表现,实现超低导通电阻 (RDS(on)) 、栅极电荷 (Qg) 或逻辑电平操作,从而极大提升性能和效率,并缩减了系统尺寸和元件数量。”
  采用新款大罐式封装的 AUIRF7739L2 具有业内最低的导通电阻,在给定 PCB 区域 40V 电压时的导通电阻典型值仅为 0.7mΩ 。此外,与 D2PAK 相比,大罐式封装的占位面积可以减少60%,厚度可以降低85%。这款器件可提供卓越的功率密度和效率,非常适合高负载电机控制应用,包括电动助力转向系统 (EPS) 和微型混合动力车的电池开关和集成式起动发电机 (ISA) ,以及底盘、传动系统和动力系统等。
  AUIRF7665S2 小罐器件可提供极低的栅极电荷,表现出非常小的寄生效应,以及快速、高效的开关性能。DirectFET2 MOSFET 是汽车开关应用的理想选择,包括D类音频放大器的输出级电路,以及 DC-DC 转换器和燃油喷射系统。
  AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 均符合 AEC-Q100 标准,是在 IR 要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合有害物质管制指令 (RoHS)。
产品基本规格

器件编号

封装

Vds

典型Rds(on)

最大Rds(on)

典型Qg

AUIRF7739L2

DF2 L Can

40V

0.7mΩ

1mΩ

220nC

AUIRF7665S2

DF2 S Can

100V

51mΩ

62mΩ

8.3nC

  有关产品现已接受批量订单,相关数据表、应用报告、模拟工具和认证标准可浏览 IR 网页 www.irf.com
IR简介
  国际整流器公司 (简称IR,纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
  IR成立于1947年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn

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