全球功率半导体和管理方案领导厂商– 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 技术平台。全新第八代(Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。

全新的Gen8设计可让高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频，以期更有效地使用电能及绿化环境。”

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。

潘大伟补充道：“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越技术。该IGBT平台凭借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能，使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。”

欲了解更多信息，请浏览IR网站www.irf.com。

产品规格

产品供应

IR Gen8 1200V IGBT平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商(OEM) 及原始设计制造商(ODM) 合作伙伴。

商标

       IR^®是国际整流器公司(International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。