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Microsemi提供S波段RF功率晶体管 适用于空中交通管制雷达航空应用

现提供新型500W GaN on SiC晶体管产品
2012-11-29

    致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段500W RF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

    在2.7 至2.9 GHz频段上,2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏极效率性能,通过单一器件在这个频段上提供最大功率,主要特性包括:

  • 标准脉冲间歇格式:       100µs, 10 % DF  
  • 出色的输出功率:            500W
  • 高功率增益:                    >11.5 dB min
  • 漏极偏压−Vdd:      +65V
  • 低热阻:                            0.2℃/W

使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括:

  • 具有简化阻抗匹配的单端设计,替代需要额外合成的较低功率器件
  • 最高峰值功率和功率增益,可减少系统功率级数与末级合成
  • 单级对管提供具有余量的1.0 kW峰值输出功率,通过四路组合提供全系统2kW峰值输出功率
  • 65V的高工作电压减小电源尺寸和DC电流需求
  • 极其稳健的性能提升了系统良率,而且
  • 放大器尺寸比使用硅双极结晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50%

封装和供货

2729GN-500晶体管采用单端封装供货,在密封的焊料密封封装中采用100%高温金镀金线材布线,实现长期军用级可靠性。美高森美将为符合资格的客户提供租借演示单元,并在公司网站www.microsemi.com上提供技术资料表。要了解更多的信息,请发送电邮至sales.support@microsemi.com

关于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 为通信、国防与安全、航天,医疗与工业,以及新能源市场提供综合性半导体与系统解决方案,包括高性能、高可靠性模拟和射频器件,混合集成电路、射频集成电路、可定制化片上系统(SoC)、可编程逻辑器件(FPGA)与专用集成电路(ASICS)、功率管理产品、时钟与语音处理器件,以及以太网供电(PoE)IC与电源中继(Midspan)产品。美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo,全球员工总数约3,000人。欲获取更详尽信息,请访问网站:http://www.microsemi.com。 

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