北京时间12月27日消息，中国触摸屏网讯，常忆科技以开发P型电晶体非挥发性记忆体技术为主，其pFusion嵌入式快闪记忆体智财电路(IP)，分别以能跟一般主控晶片逻辑製程相容、中小储存容量的e2Logic IP，以及单元面积小、大储存容量的e2Flash IP技术两大类，可以广泛应用在物联网(IoT)、机联网(M2M)、嵌入式SoC设计、微控制器、智能卡以及触控IC的设计应用。也因此获得美商硅成(ISSI)的青睐，于今(2012)年7月併购并成为集团下非挥发性事业部。
    常忆科技于今(2012)年7月为美商硅成(Integrated Silicon Solution, Inc.；ISSI)併购，并成为集团下非挥发性记忆体事业部。现任美商硅成半导体pFusion事业处副总经理张有志，介绍创始于1995年的常忆科技，是P型电晶体非挥发性记忆体的开发先驱，旗下有pFlash和pFusion两个事业单位组成。
    pFlash开发和生产标准型NOR记忆体，pFusion负责将嵌入式非挥发记忆体智财(IP)授权给晶圆代工厂及IC设计公司，用于生产微控制器(MCU)、单晶片系统(SoC)、智慧卡，并提供客製化设计及技术谘询服务。
    他指出，常忆在pFusion内嵌快闪记忆体的储存单元设计上，採用专利的双电晶体PMOS和band-to-band-tunnel(BTBT)的资料写入机制，可确保最佳的擦写与读取性能、智财面积的最小化、以及最短的测试时间，目前已广泛应用于消费性电子产品、电脑及其周边、无线通讯、网路装置以及工业控制等。
    接下来他介绍pFusion的关键功能，e2Flash高密度内嵌快闪记忆体在触控处理器的应用，Flash KGD(Known Good Die)在触控晶片与驱动IC单晶片SoC的搭配，以及e2Logic在触控晶片与驱动IC单晶片SoC的使用。
    张有志指出，目前晶圆厂代工Flash製程，大多是传统N型电晶体(NMOS)製程技术，据此再细分为标准逻辑／高电压製程(Standard Logic/HV)以及双层多晶硅製程(Double Poly)，常忆的pFusion则以2T-P型电晶体(PMOS)製程技术为根基，再以此区分出採标准逻辑製程的e2Logic以及採双层多晶硅製程的e2Flash。无论是e2Logic或e2Flash，皆能客製化达到低读写功耗或快速读写的客户需求。
    e2Logic与主控逻辑製程相容，无须附加多馀光罩製程，针对低密度4KB以下，提供长达10年储存时间与10万次抹写耐受度，并可在IP上设计成以一次性写入(OTP)做程式码储存，及多次性写入EEPROM做数据储存的配置，以达到面积最佳化。
    e2Flash则具备超小储存单元、8KB以上较大的储存空间应用，可达到10年储存时间与10万次抹写耐用度，并在设计上可做为Flash或EEPROM不同页面大小的储存需求的弹性配置之用。
    张有志进一步介绍e2Flash内嵌快闪记忆体技术细节。e2Flash单元由PMOS的控制闸、浮闸(Floating Gate)组成，写入电流量每单元低于0.1微安培(<0.1μA/cell)，单一字组的程式化时间低于20μs，区块抹除时间低于2ms，能提供长达10年保存期限与至少10万次抹写週期。
    同时相较于传统单晶体(1T) Flash在连续程式化时，其邻近的单元会受到连带干扰，而e2Flash的程式化／抹写採取双晶体(2T)设计，其储存单元不会受连续抹写的干扰而失效。
    张有志指出e2Flash的单元结构，无论从早期的0.35μm(微米)到近期的65nm(奈米)製程，都是维持不变，因此e2Flash可随着製程的转移快速导入量产并缩减晶粒面积／成本。0.18um製程的2P/3M，单元面积仅0.57平方微米；0.13um製程下的单元面积降至0.3平方微米，预计2014年切入65nm製程下的单元面积将微缩到仅0.1平方微米。
    张有志总结e2Flash的优势，在于跟主控逻辑製程相容，以相同0.18微米製程下，电路面积比业界缩减15%~40%，并具备业界最佳耐用度，低于4ppm的高供货品质与信赖度，目前0.18μm的e2Flash已经在几家晶圆代工厂量产，而0.13μm e2Flash也正进行少量试产。
    张有志提到，在触控面板的组成元件中，有两个关键集成电路IC，一个是位于触控面板内部的ITO薄膜、ITO玻璃与触控面板之间的触控IC，另一个则是在TFT LCD面板之上的驱动IC(LCD Driver IC)，现有最通常的做法是用高压的LCD driver製程生产driver IC，及使用e2 Flash或其他嵌入式快闪记忆体(embedded flash)製程生产触控IC。
    未来有些IC设计公司可能朝结合driver IC与触控IC成单一晶片SoC，将触控IC与LCD驱动IC要整合成单一SoC晶片时，一种方式是採高电压製程(HV Process)生产驱动IC及触控IC并外接KGD(Known Good Die) Flash，如此可避免在高压的LCD驱动IC製程上，再加上多层光罩製造Flash的IP电路。
    另一种将触控IC与LCD驱动IC要整合成单一SoC晶片时，如果无须使用到大量的快闪记忆体储存，张有志建议使用可搭配既有高电压逻辑製程(HV Logic Process)的e2Logic嵌入式快闪记忆体IP。
    他指出，以e2Logic的IP设计LCD驱动与触控二合一SoC的优势，在于可搭配成熟的高电压製程，无须外接的KGD Flash记忆体，也无须多加额外的快闪记忆体光罩，而唯一缺点是，如果客户需要大容量的Flash储存容量，e2Logic IP的面积可能比较大。
    综括前述多种触控IC的常用方桉，包含：1. 独立式触控IC，需使用较大的Flash储存容量，使用e2Flash双层多晶硅的製程；2. 使用标准HV LCD driver製程，生产结合driver IC及触控IC的SoC，并在封装时外加pFlash KGD；3. 使用标准HV LCD driver製程，并加入e2Logic IP，生产出结合driver +触控+Flash IP的SoC。无论哪一种设计，ISSI/pFusion皆可依客户的需求，提供适当的解决方桉。