据新华社消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心最近在22纳米技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展。消息称该中心的研究人员摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，采用高K材料、金属栅等新材料、新工艺，研制出了性能良好的器件，技术水平达到国内领先、世界一流。

　　报道还介绍在研发过程中，中国科学院与北京大学、清华大学、复旦大学的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为中国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础。该成果的取得也为中国继续自主研发更先进的16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。

　　据了解，美国Intel 公司采用高K材料和金属栅结构的22纳米微处理器在2011年下半年已经实现量产，目前Intel公司正在美国兴建一座全球最先进的工厂，预计在2014年有望实现14纳米产品的量产。中国目前最先进的、国家“自主可控”的芯片制造公司是中芯国际，其量产的能力在45 纳米产品。中芯国际 32 纳米产品的量产能力还在形成当中，预计2013年可以试产。

　　总体上，中国最先进厂商和国际一流厂商的生产技术水平大约相差2～3代（4～5年），而自主研发的能力相差更大。从中科院有关项目的进展以及项目联合单位的组成来看，中国的基础集成电路工艺研发和生产制造之间脱节的问题还没有解决。在美国，象纽约州Albany 纳米技术中心这样的研究机构承担了一些先进工艺的先期、探索性的开发工作，其经费来源有来自政府的研究基金，也有企业通过项目合作的方式提供的资助，研究项目和企业生产实际结合的较好。在中国， “学院式” 的研发如何和工厂生产实践中遇到的科研问题相结合还有待磨合。其实中国在上世纪70-80年代曾经推广过的“科研和生产实践相结合”的路子有其非常合理的一面，可惜物极必反，很多事情做过头又矫枉过正，结果好的东西反而得不到“批判性”地传承。