不久前，意法半导体宣布推出采用Cortex-M7的最高性能stm32f7-pr">STM32 F7新系列微控制器，STM32F7新系列微控制器的工作频率高达200MHz，采用6级超标量流水线和浮点单元(Floating Point Unit，FPU)，测试分数高达1000 CoreMark。

采用意法半导体的经过制造检验的稳健的90纳米嵌入式非易失性存储器CMOS制造工艺，而这样使得新的微控制器可以快速面市并且拥有最佳的性能价比。

超出人们预期的是，STM32F7虽然性能提高了，但是能效并没有影响。尽管功能更多，新系列运行模式和低功耗模式（停止、待机和V_BAT）的功耗与STM32F4保在同一水平线上：工作模式能效为7 CoreMarks/mW；在低功耗模式下，当上下文和SRAM内容全都保存时，典型功耗最低120 uA；典型待机功耗为1.7uA；V_BAT模式典型功耗为0.1uA。

针对STM32F7能够实现上述高性能和低功耗的技术细节，意法半导体微控制器市场总监DANIEL COLONNA在北京的新闻发布会上做了详细的批露。

1、AnAXI和先进高性能总线矩阵(Multi-AHB, Advanced High-performance Bus)，内置双通用直接访存(DMA)控制器和以太网、通用串行总线On-the-Go 高速(USB OTG HS, Universal Serial Bus On-the Go High Speed)和Chrom-ARTAccelerator™图形硬件加速等设备专用DMA控制器；2、采用512KB和1MB嵌入式闪存，可满足应用对大容量代码存储需求；

3、大容量分布式架构SRAM：在总线矩阵上有320KB共享数据存储容量（包括240KB +16KB）和保存实时数据的64KB紧耦合存储器(TCM, Tightly-Coupled Memory)数据RAM存储器；保存关键程序的16KB指令TCM RAM存储器；在低功耗模式下保存数据的4KB备份SRAM存储器；

4、STM32 F7外设还包括一个独立的时钟域，可在不影响通信速度的情况下让开发人员修改系统时钟速度；

5、灵活的内置32位数据总线的外存控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器；

6、即便引脚数量少的封装也提供双/四路SPI接口，以低成本方式扩展存储容量；

7、基于现有的STM32 F4系列指令集，仅提供单周期乘法累加(MAC)指令，提供单指令多数据流(SIMD)指令，该指令计算32位字内的8位和16位值。

上述7大技术细节，使得STM32F7系列微控制器可以稳坐M系列微控制器最高性能的头把交椅。