IR 拓展了中压功率 MOSFET 产品组合推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品
2010-07-02
作者：IR
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于新器件的尺寸仅为0.9mm，并具有标准引脚，可提供高额定电流和低导通电阻，因此与需要多个并行元件的解决方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。”
所有器件都具有低热阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 标准，所采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。
产品基本规格
|
器件编号 |
电压 |
电流 |
导通电阻 |
栅极电荷 类型 |
栅极 |
|
|
IRFH5004TRPBF |
PQFN 5x6mm |
40 V |
100A |
2.6 mOhm |
73 nC |
标准 |
|
IRFH5006TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
4.1 mOhm |
67 nC |
标准 |
|
IRFH5106TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
5.6 mOhm |
50nC |
标准 |
|
IRFH5206TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
98A |
6.7 mOhm |
40 nC |
标准 |
|
IRFH5406TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
40A |
14.4 mOhm |
23 nC |
标准 |
|
IRFH5007TRPBF |
PQFN 5x6mm |
75 V |
100A |
5.9 mOhm |
65 nC |
标准 |
|
IRFH5207TRPBF |
PQFN 5x6mm |
75 V |
71A |
9.6 mOhm |
39 nC |
标准 |
|
IRFH5010TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
100A |
9.0 mOhm |
65 nC |
标准 |
|
IRFH5110TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
63A |
12.4 mOhm |
48 nC |
标准 |
|
IRFH5210TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
55A |
14.9 mOhm |
39 nC |
标准 |
|
IRFH5015TRPBF |
PQFN 5x6mm |
150 V |
56A |
31 mOhm |
33 nC |
标准 |
|
IRFH5020TRPBF |
PQFN 5x6mm |
200 V |
41A |
59 mOhm |
36 nC |
标准 |
|
IRLH5034TRPBF |
PQFN 5x6mm |
40 V |
100A |
最大2.4 mOhm |
43 nC |
逻辑电平 |
|
IRLH5036TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
最大4.4 mOhm |
44 nC |
逻辑电平 |
|
IRLH5030TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
100A |
最大9.0 mOhm |
44 nC |
逻辑电平 |
新器件现已接受订单，数据表和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com。
IR简介
国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。
专利和商标
IR® 和 HEXFET® 是国际整流器公司（International Rectifier Corporation）的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。