与其它存储器" title="存储器">存储器技术相比，DDR" title="DDR">DDRSDRAM" title="SDRAM">SDRAM具有出众性能、很低的功耗以及更具竞争力的成本。可与以前的SDRAM技术相比，DDRx存储器需要一个更复杂的电源管理新架构。本文探讨了DDR电源管理架构的理想选择。

　　双PWM控制器

　　现在市面上有各种DDR电源IC，如集成MOSFET的ML6553/4/5、适用于大功率系统的FAN5066和FAN5068、DDRx和先进配置及电源接口(ACPI)的组合等。另一种器件FAN5236是专门为DDRx存储器系统的一体化供电要求而设计的器件，这个单片IC集成了一个VDDQ开关控制器，一个VTT开关控制器和一个VREF线性缓冲器。

　　VDDQ开关可以输出5~24V范围内的任何电压，但VTT的开关则不同，它由VDDQ电源供电，并与VDDQ开关同步动作。这两个开关的输出都可在0。9~5。5V范围内变化。由于VDDQ总线信号线的驱动电压为2。5V(DDR)或1。8V电压(DDR2)，VTT的端接电压为1。25V(DDR)或0。9V(DDR2)，所以在VTT和VDDQ之间存在一定程度的功率循环。将VTT与VDDQ分离，就可以将其间的功率循环以及由此产生的损耗降到最低。VTT开关在待机模式下也可以关闭。

　　双PWM控制器的应用

　　图2中给出了一个连续电流为4A、峰值电流为6A的VDDQ典型应用，表中也列出了其材料清单。请注意，在图2中，外部的矩形代表FAN5236双脉宽调制器(PWM)，其中标有PWM1和PWM2的小矩形代表IC内部的两个转换开关。另外还需要注意的是，在表中FAN5236被称为DDR控制器，元件名为U1。可以很容易地对这个电路进行修改，通过分压器R5/R6，将VDDQ设置为1.8V，将VTT设置到0.9V，以适用DDR2应用。

　　设置输出电压FAN5236PWM控制器的内部基准电压为0。9V，其输出由分压器分压到VSEN脚(R5和R6)，因此输出电压为：0。9V/R6=(VDDQ×0。9V)/R5。