就在ISSCC（International Solid State Circuit  Conference）国际固态电路会议上，三星的举动令业界感到惊讶，全球首次展示了10nm FinFET  半导体制程。当时业内人士纷纷表示，三星有望抢在英特尔之前造出全球第一款 10nm 工艺用于移动平台的处理器。

　　实际上，作为韩国高科技巨头，三星在半导体制造方面已经非常超前，目前仅有三星一家可以正式大规模量产 14nm FinFET  工艺的移动设备芯片，而此前在工艺方面极有优势的英特尔却一推再推。虽然在芯片领域，三星在业务方面尚未上升到高通或者英特尔的高度，但三星的芯片发展可谓神速，迎来的是对统治级竞争对手的直接挑战。

　　不过，如果你认为三星首秀 10nm FinFET 工艺制程已经够惊艳全场的话，那么三星在 ISSCC 会议上的主题演讲可能更令人意外。

　　三星：5nm芯片对我们而言完全没有问题

　　据三星的发言，该公司还将继续推进至 5nm工艺制程，因为他们认为“根本没有困难”，而且进一步微细化也有可能很快实现。

　　该韩国巨头甚至表示，他们已经确认开始 3.2nm FinFET 工艺的工作，通过所谓的 EUV  远紫外光刻技术和四次图形曝光技术和独家相关途径，可以实现工艺更细微化。基本上三星的演讲内容非常令人费解，完全没有真正表述究竟使用何种新材料制造这些更小纳米工艺的芯片。英特尔已经表示  10nm 之后的半导体制造会更复杂，再发展下去硅原子的物理极限很难突破，不排除三星的新材料解决方案是砷化銦鎵（Indium Gallium  Arsenide，InGaAs）。

　　让我们回到 10nm 工艺，三星称下一代芯片尺寸将更微小，功耗更低。未来此工艺也将运用到 DRAM 和 3D V-NAND  芯片上，三星不会放弃任何在移动领域做储存霸主的机会。三星表示，在 2016 或 2017 年之前暂时不会有 10nm 工艺。也就是说，首款采用 14nm  芯片的智能手机 Galaxy S6，在先进工艺方面的优势可能会维持两年。

　　当然，我们不排除下下一代旗舰智能手机，也就是 Galaxy S7，三星又惊人的为其搭载 10nm 工艺的处理器。