《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 嵌入式技术 > 业界动态 > 10纳米碳纳米管CMOS器件面世

10纳米碳纳米管CMOS器件面世

2015-05-15

      近日,在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下,北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。与同尺寸硅基器件相比,该器件速度是其5倍,而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路

  下一步,该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺,建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台,并基于该平台开发碳纳米管CPU,最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。