住友电气工业（住友电工）将涉足SiC功率元件业务。该公司将利用通过日本产业技术综合研究所的“Tsukuba Power-Electronics Constellations（TPEC）”试产线确立的量产制造技术开展业务。业务开始的具体时间未定，不过该公司预计SiC功率元件市场到2020年左右将形成规模，所以“将在此之前启动业务”。住友电工此前已试制出SiC功率元件和功率模块等，并在学会及展会等场合进行了展示，但当时没有明确是否开展商业化运作。

　　住友电工的SiC功率元件的特点是在栅极部分挖V字型沟道的MOSFET。在栅极部分挖沟的普通沟道型MOSFET，沟道侧面与元件表面垂直，而住友电气工业的试制品是V字型沟道，沟道侧面与元件表面斜交。通过V字型沟道，可以形成缺陷少的氧化膜界面，能够实现低导通电阻。比如，耐压1200V产品实现了2.0mΩcm2的低导通电阻。电流值为50A。

　　由于缺陷少，阈值电压的变动也很小。在175℃、1000小时内，阈值电压变动量在0.12V以下。

　　住友电工在2015年5月举行的功率半导体国际会议“第27届International Symposium on Power Semiconductor Device & ICs（ISPSD）”上发布了具有上述特性的SiC MOSFET。这是利用口径6英寸的SiC基板制成的。芯片尺寸为3mm见方。

　　另外，发布者获得了ISPSD的年轻人最优秀奖（Charitat Award）。