联华电子与新思科技今(22)日共同宣布，双方拓展合作关系，于联华电子14奈米第二个PQV测试晶片上纳入新思科技DesignWare嵌入式记忆体IP与DesignWare STAR记忆体系统测试与修复解决方案。此PQV提供了更多硅资料，可让联华电子进一步微调其14奈米FinFET製程，以实现最佳化的功耗，效能与位面积表现。双方已成功设计定案了第一个联华电子14奈米FinFET製程PQV，包含了新思科技DesignWare逻辑库与StarRC™ 寄生电路抽取工具(parasitic extraction tool)，而此次PQV则继续拓展伙伴关系。

　　新思科技IP暨原型建造行销副总裁John Koeter指出：「新思科技与联华电子扩展的合作关系展现了双方共同的目标，也就是协助晶片设计公司在联华电子製程上，将我们的DesignWare硅智财结合到其系统单晶片设计上。现已有超过45颗FinFET测试晶片设计定案(tapeout)，新思科技将持续倾全力致力于为FinFET製程提供高品质硅智财，使晶片设计公司能够降低整合风险，并加速量产时程。」

　　联华电子硅智财研发暨设计支援副总王国雍表示：「除了研发业界具竞争力的14奈米製程，以满足当今最尖端晶片应用产品的需求外，联华电子现正致力于建构相当完整的全方位支援架构，藉此加速14奈米客户design-in的速度。继联华电子与新思科技于14奈米製程上成功验证PQV后，很高兴在我们最先进的製程上与新思科技优质的DesignWare硅智财继续拓展合作。我们期待将这份伙伴关系所带来的好处提供给双方客户，协助採用14奈米进行设计的客户，能获得功耗，效能与成本上的优势。」

　　联华电子14奈米FinFET制程已展现了卓越的128mb SRMA良率，预期于2015年底接受客户设计定案(tape-out)。