三星全新旗舰手机Galaxy S7/S7 edge已经在MWC2016开幕的前一天发布，S7/S7 edge身上有许多亮点，例如双曲面Super AMOLED屏幕，IP68级别的三防功能，佳能全像素双核传感器技术等等，这确实能给用户不少全新的体验。而硬件配置作为良好体验的基础，旗舰的 Galaxy S7/S7 edge又怎能落后呢?关于三星自主设计/制造的处理器，你又知多少呢?今天，笔者和大家一起聊聊三星处理器的发展历程，以及Galaxy S7/S7 edge的“大脑”:Exynos 8890与骁龙820。

三星制造处理器已经15个年头

　 　三星作为半导体领域的IDM厂商，其自身具备IC的设计能力以及生产能力。三星移动处理器（以下简称为Soc）发展至今已经经历了15个年头，其中不少 经典的移动产品像iPhone 1代、iPod nano 2都搭载有三星的Soc。除了Soc之外，三星的产业（移动设备内）还涉及到多方面的设计制造，例如手机上的LPDDR3/4 RAM、eMMC/UFS标准的ROM芯片、OLED屏幕、摄像头模块等等，是全球仅有的一家核心部件自给自足的手机厂商。当然，以上提及到的产品都可以 出售，三星也有自己的晶圆生产基地，用于自家芯片的生产以及别家Fabless厂商的芯片代工，例如苹果A9处理器，高通骁龙820处理器等等。

Exynos 4210/4212:三星首款双核处理器

　　Exynos 4210/4212有一个为人熟悉的名字:猎户座，其首次搭载在三星首款双核手机:Galaxy S2（I9100）上，虽然这款神机年事已高，但CM团队甚至为其推出了Android 6.0的Nightlies版本。Exynos 4210采用45nm制程节点制造，内置两颗1.2GHz的arm Cortex-A9核心，集成Mali T400 GPU，支持LPDDR2/3内存，支持30fps/1080p的高清拍摄回放，性能不弱于同期的高通MSM8260以及Nvidia的Tegra 2。

Galaxy S2

　　除了Galaxy S2，这款处理器也搭载在Galaxy Note以及魅族MX上面。而之后的Exynos 4212更是升级到32nm HKMG制程工艺，主频提高到1.5GHz。

　　Exynos 4412:四核心Cortex-A9架构

　 　虽然Exynos 4412同样采用4210/4212上的Cortex-A9核心，但32nm HKMG的制程工艺却让Cortex-A9发挥得更完美，以至于Exynos 4412内置4核A9在性能以及功耗上都取得了更好的平衡，GPU方面Exynos 4412依然集成Mali T400，同样支持当时最高规格的LPDDR3，整体性能上和高通Snapdragon S4不相上下，但功耗控制却比S4更优秀。

Galaxy S3

　　Exynos 4412搭载在Galaxy S3上面，而Galaxy Note2、魅族MX2同样采用这款处理器。

　　Exynos 7420:更争气的A57+A53架构

　 　Exynos 7420搭载在Galaxy S6系列机型上，是三星首款14nm FinFET LPE工艺的处理器产品，其内置4*A57+4*A53核心，A57主频高达2.1GHz，集成Mali T760 GPU，也是三星首款支持LPDDR4内存的Soc，因为基于14nm LPE工艺，Exynos 7420性能强劲之余也非常火热，但已经比隔壁家的要好。

Galaxy S6 edge+

　 　当然，除了上述的3款处理器之外，三星还有相当多值得一提的经典处理器，例如业界首款采用Cortex-A15内核的双核Exynos 5250/四核Exynos 5410，与骁龙810同为A57+A53核心的Exynos 5433。考虑到文章篇幅过长，笔者就不一一解析了。而Exynos 8890作为三星2016年旗舰Soc，它到底是怎样的呢?莫慌，继续往下看。

Galaxy S7处理器共有两个版本

　　据悉，三星Galaxy S7拥有两个处理器的版本，分别搭载了Exynos 8890以及高通820。而更有消息指国行S7采用的是高通骁龙820版本，而国际版采用的是Exynos 8890，这可能是因为1.国行有电信CDMA制式，而高通820内置的基带以及捆绑的射频芯片组支持全网通，三星也就免去了像Galaxy S6外挂高通基带实现全网通的麻烦事，2.高通骁龙820采用三星14nm FinFET LPP制程工艺制造，换句话来说就是不热了，三星也更愿意使用骁龙820。

Exynos 8890参数解析:自主架构更强大

　　三星旗舰Soc，Exynos 8890基于三星14nm FinFET LPP工艺（比苹果A9的制程工艺更先进），在制程节点上与上代旗舰Exynos 7420相同，而工艺则从FinFET LPE升级到LPP，拥有更低的漏电率，核心频率也能进一步拉高。而架构方面，8890内置4*Mongoose+4*A53核心（共8核心设计），前面4个自主研发的Mongoose内核主频可达2.3GHz（超频可达2.5GHz）用于提高性能，后面4个A53核心主频为1.56GHz（超频可达2.2GHz）用于兼顾功耗。而GPU（图形处理器）方面则为Mali T880 12核心设计（据悉存在配备16核心的版本）。

Exynos 8890

　 　而内存方面依旧为双通道的LPDDR4，值得一提的是和Exynos 8890捆绑使用的最新Shannon基带（拆解显示为Shannon 935），下行支持Cat 12，理论速度达到600Mbps，而上行也支持到Cat 13，理论速度达到150Mbps。达到了高通X12 LTE基带的性能。

Exynos 8890性能测试:比上代7420/骁龙810强得多

　　结果来自Geekbench数据库与GFXbench（全为Offscreen）数据库。

       由于搭载Exynos 8890的机型还没开卖，所以仅能通过理论跑分成绩来说明其性能表现。单从数据上看来，Exynos 8890的单核性能已经比高通上代旗舰骁龙810以及三星上代旗舰Exynos 7420强不少，Exynos 8890的单核性能基本上是骁龙810、Exynos 7420的两倍，而GPU方面，Exynos 8890同样领先于另外两者，无论CPU性能还是GPU性能都有较大幅度的提升。

　　而随着Exynos 8890的机型逐渐出货，其驱动以及软件/游戏的优化也会陆续跟上，相信具体性能会继续往上攀升。

14nm LPP工艺的Exynos 8890发热更少

　 　可能很多朋友会对这款处理器产生疑问，这么强大的处理器，发热怎么样。鉴于笔者手上也没有搭载这款处理器的相应机型，所以具体发热状况暂且不妄下定论。 但Exynos 8890采用14nm FinFET LPP工艺制造，相信发热“理论”上会得到控制，究竟FinFET是什么?它又有什么作用呢?笔者来简单阐述一下。

FinFET显微图

　 　其实早在10多年前，就有人提出FinFET这个结构，FinFET主要重新设计了晶体管里面的S/D两级以及最为关键的Gate结构（什么是S/D /Gate今天不说，不然文章起码要多2000字），让Gate对通/断的控制力更强，也就是在更先进的制程节点上，减少S/D两级之间的漏电流，而漏电 流会直接影响处理器的功耗。而骁龙810的20nm HKMG工艺，就是Gate控制力低下（对于20nm节点），导致漏电问题严重，所以发热以及功耗得不到良好的控制。

FinFET工艺示意图

　 　而台积电/三星在16nm/14nm节点上都使用了FinFET技术，增强了Gate对S/D的控制力，减少漏电流。此外，随着三星14nm FinFET LPE过渡到LPP工艺的成熟，良品率会逐渐上升，成本慢慢下降，也利于三星在晶圆的制造过程中使用更好的工艺去控制功耗。

　　Exynos 8890的发热情况本站将会进行相应的测试。

总结:三星自主处理器的又一里程碑

　　搭载Exynos 8890的Galaxy S7已经发布。另外，在15年12月的骁龙820亚洲首秀上，高通表示已经有超过70款终端采用这颗处理器，相信到现在已经突破了这一数字。

　　Exynos 8890身上有着相当多创新之处，例如自主设计的Mongoose核心以及自主架构+arm 公版架构的双簇式设计，能很好地兼顾高性能与低功耗。整体来说，Exynos 8890的性能表现在2016年夺下安卓手机平台处理器性能宝座并不是问题。

　　然而，Exynos 8890多核性能秒苹果A9不是问题，而工艺上面也采用比A9 LPE更强的LPP。