上海2016年3月11日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所股票代码：981），中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，与阻变式存储器（RRAM）技术领导者Crossbar，今日共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。

　　作为双方合作的一部分，中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议，基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺，提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。

　　“Crossbar产品持续按计划推进，目前正在授权阶段。我们很荣幸宣布与中芯国际的合作，这是我们的RRAM技术实现商业化的重要一步。”Crossbar CEO及联合创始人George Minassian表示，“高度集成的MCU及SoC设计者需要非易失性存储器技术，此技术能够更加便捷地集成到他们的产品中去并且能够应用标准的CMOS逻辑制程制造。Crossbar的RRAM技术与中芯国际专业制造能力的结合将创造独特的存储器架构，安全性更严格，功耗更低，同时提供更大容量和更快的进入时间。”

　　Crossbar的RRAM CMOS兼容性及对更小工艺尺寸的可扩展性使非易失性存储器组件在更低工艺节点的MCU和SoC中集成成为可能。RRAM元件能够集成到标准的CMOS逻辑工艺当中，在标准CMOS晶圆的两条金属线之间。这将促成高度集成的非易失性存储器解决方案的实现，将片上非易失性存储器、处理器核、模拟及射频集成在一个单独的芯片上。

　　“基于中芯国际40纳米技术节点，我们能够为客户提供应用于智能卡和多种物联网器件的高容量、低功耗且具有独特安全性的存储器技术。”中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，“我们很高兴与Crossbar在中芯国际稳定可靠的40纳米技术平台上展开合作。我们能够为全球客户提供具有竞争力的技术，帮助他们缩短入市时间。我们也致力于与更多世界领先的公司展开长期战略合作，共同服务市场并在未来实现共赢。”

　　Crossbar的RRAM技术为需要低功耗、高性能非易失性代码执行和数据存储功能的嵌入式应用提供具有性价比的集成存储器解决方案。