业内首个基于130 nm BCDLite平台的嵌入式闪存技术，适用于电源、MCU和工业应用领域

　　全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）日前通过其子公司Silicon Storage Technology（SST）宣布推出已通过认证、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite®技术平台的、SST低掩膜次数的嵌入式SuperFlash®非易失性存储器（NVM）技术。仅仅只需四步掩膜即可将SST嵌入式SuperFlash存储解决方案和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技术结合在一起，为电源、单片机（MCU）和工业IC设计人员提供兼具成本效益、高耐用性的嵌入式闪存解决方案。在诸如电池充电（5V-30V）等高容量电源应用领域，GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台与SST SuperFlash嵌入式存储功能的搭配将实现先进的电池监测功能，准确测量出电池的使用时间和健康状况。

　　作为业内首个结合SST嵌入式SuperFlash存储技术和先进模拟技术的代工厂，GLOBALFOUNDRIES的130 nm BCDLite平台拥有业界领先的Rdson，这使得设计人员能够以小尺寸裸片实现可编程的单芯片电源解决方案。

　　SST全球市场营销及业务发展总监Vipin Tiwari表示：“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技术与先进130 nm BCDLite工艺节点的结合，开辟了产品全新的应用潜力，尤其是对于电源管理市场而言，令人倍感振奋。现在，有BCDLite工艺需求的客户可以在降低成本的同时为其复杂算法添加嵌入式SuperFlash存储技术。”

　　GLOBALFOUNDRIES嵌入式存储副总裁Dave Eggleston表示：“我们与SST合作开发出的这一客户就绪的130 nm模块化BCD+NVM平台，为客户提供了前所未有的集成化水平，适用于各类要求苛刻的电池供电应用，包括无人机、智能电机控制及常关移动计算等。”

　　基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台的SST SuperFlash技术方案现已开始投放市场，同时由一个资源丰富的自定义库提供完备的技术支持，该自定义库包含了针对模拟/电源SoC而优化的现成IP模块资源。

　　欲了解更多有关SST专有SuperFlash® NOR闪存专利技术的信息，请访问www.sst.com/technology/SuperFlash-Overview。

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