2015年以来，伴随着大陆在集成电路产业发展的高度关注与持续投入，大陆IC产业链结构正日趋完善，各产业链环节调控效果初显，尤其在晶圆制造端，浩浩荡荡的国际各路大军纷纷登陆中国，国内厂商积极重组扩张，在此期间，中国存储芯片产业也经历了从无到有的重要历程。

　　中国存储芯片几乎完全依赖进口。量产方面，大陆已有Samsung、Intel、SK Hynix 三大巨头设立存储器芯片制造厂，其中Samsung 西安厂和Intel 大连厂主要生产闪存NAND Flash，SK Hynix 无锡厂主要生产内存DRAM。然而由于这些外资主导的厂商在工艺技术上的严格保密，大陆本土的工程师很难走到核心技术岗位，这对大陆存储芯片制造业的帮助非常有限。

　　此外，紫光收购美光、入股西数曲线收购SanDisk等海外并购都遭到了美国外国投资委员会（CFIUS）的阻挠，最终告吹。这也给大陆方面提了个醒：中国存储芯片产业的发展单靠并购是走不通的，必须将自主创新和技术引进结合起来。

　　目前，全球存储芯片技术主要由Samsung、SK Hynix、美光、东芝、Intel等国际大厂垄断。

　　闪存方面，随着2D-NAND制程工艺来到摩尔定律的极限，各巨头厂商纷纷开始着手开发3D-NAND技术，三星32层与48层3D V-NAND产品与美光英特尔32层 3D NAND产品于2015年底已正式投放市场，东芝、SanDisk、SK Hynix前期在迈入3D-NAND主流厂商的道路上稍显迟钝，不过在今年7月份，东芝和SanDisk同时宣布已研发出64层的3D-NAND Flash制程技术，并计划采用该技术的256Gb（32GB）产品在2017年上半年进行量产，随后三星也立即宣布于2016年底量产4GV-NAND（64层）产品。

　　可见，在3D-NAND技术领域，各厂商都正处于起跑阶段，距离还未完全被拉开，这对于大陆存储芯片产业的发展是有利因素。

　　大陆在建的几座12英寸晶圆厂中，合肥兆基科技、武汉新芯、晋江晋华都将产品方向关注到存储芯片上来。

　　其中兆基科技和晋华主导DRAM产品的研发和生产，兆基科技创始人坂本幸雄是日本DRAM大厂尔必达的前社长，2012年尔必达被美光收购，这不禁会引来业界猜测：未来兆基科技的DRAM技术是否有牵涉美光的IP？但归根到底，兆基科技整体仍由外资主导，大陆方面能否在未来有效完成技术渗透，现在看来并不明朗。

　　相比而言，晋华项目则更趋人性化，晋华借助联电技术导入利基型DRAM，由晋华提供设备、资金，支付联电技术开发费用，最终开发成果双方共同拥有。

　　武汉新芯则与飞索半导体合作主攻Flash芯片的开发，8月初紫光和武汉新芯宣布联手成立长江存储科技有限公司，中国存储芯片产业国家队规模再次提升。紫光此举不仅整合了多方资源形成规模效应，也极大缩短了自主建立Fab产线的时间，并留出更多的资金用于入股和收购DRAM生产技术厂商，期许同时拥有Flash和DRAM的生产能力，力求尽快达到中国自主生产存储器的国家目标。

　　对于同时拥有先进DRAM和高阶3D-NAND Flash技术（与Intel共同开发）的美光科技，紫光可谓觊觎已久，但鉴于中美两国复杂的国际关系，美国政府始终不愿放手通过紫光收购美光一案。

　　如今长江存储科技的成立，将再次重启与美光洽谈合作事宜，计划引进华亚科模式（由大陆提供资金和厂房，美光提供技术），如何成功激活此模式，相信对大陆方面将是一次关键的智慧考验。

　　接下来高端技术人才的引进、本土人才培养及相关人才体系的完善和发展，必将排在各项工作的首位。中国在存储芯片产业领域多年空白的局面已造成了相关人才的严重缺失，高科技人才在IC产业发展过程中的作用是不可替代的，所以如何引进高端人才、留住人才、培养本土专业人才定是大陆政府密切关注的课题。

　　根据大陆各新建厂建设进度，多数产线要到2018年才开始投片，未来2~3年内，大陆对其他厂商并不能直接构成威胁。

　　然而，可以预见，中国在布局存储芯片产业的步伐将会越来越快，大陆存储芯片产业的“炮台”已经搭起，“弹药”及所有准备工作正紧张有序开展，一旦中国拥有先进Flash和DRAM产品生产能力并实现自给自足时，全球存储芯片的供需体系将被重新洗牌，相信对世界几大寡头来说势必会是一场血雨腥风。