DRAM与NAND Flash大涨价，在三星、SK海力士两大韩国重量级业者主导下，第4季DRAM将再涨价逾一成，累计下半年大涨逾25%，涨幅最凶猛，NAND同步跟进，华邦、南亚科、群联等营运喊冲。

　　存储器通路商表示，三星新款智能机Note 7惊传电池爆炸意外，集团营运压力大，肩负三星集团获利逾八成重担的半导体部门，决定拉升DRAM和NAND售价，希望借此抵销庞大手机回收造成获利下滑的压力；眼见三星大涨价，SK海力士也趁势调涨价格。

　 　三星和SK海力士先前已陆续于8月调涨DRAM报价，通路商透露，近期二大韩系厂再通知客户，9月和第4季涨势持续，显示二大存储器芯片厂已不乐见 DRAM价格长期低迷，趁下半年手机厂、笔电厂和伺服器厂都为新产品布局，买气加温时，同步拉升DRAM和NAND售价，以DRAM涨势最为明显，继第3 季合约价涨价15%之后，第4季会再调涨10%。

　　存储器通路商分析，两大韩系业者持续涨价，除了三星希望能稳住获利，弥补Note 7大量回收的损失之外，各大品牌手机为因应高解析影响处理和储存需求，新机搭载DRAM和NAND容量都大幅提升，也是“涨价有理”的关键。

　　例如苹果iPhone 7新机的DRAM搭载量由原2GB推升至3GB，部分非苹机种更上推至6GB，都是以惊人的幅度成长，笔电厂和资料中心所需的伺服器存储器需求成长性更为惊人。

　　此外，第4季进入欧美及亚洲零售旺季，包括感恩节、耶诞节及双十一光棍节等，各大科技厂都竞相备货抢食商机，韩系大厂在苹果等主要大厂已包下大部分产能之后，调升售价，借由涨势催促通路端和委托制造代工（OEM）大厂备货。

　　同时，韩系大厂将产能转向移动式记忆体和NAND，造成标准型DRAM缺货，不仅近期标准型DRAM现货价回升，估计第4季涨势也会以标准型DRAM最明显，涨幅恐逾一成、甚至可达15%；移动DRAM涨幅估计也会不小，华邦、南亚科、华亚科等台厂后市看俏。

　　NAND市场方面，因OEM端客户不看好非三星阵营3D NAND新制程进度，加上企业级和笔电固态硬盘（SSD）需求快速升提升，下游担心导致供应吃紧，已出现抢料，价格同步看涨。