存储器供货吃紧，价格喷发，先前韩媒预估，厂商制程转换将使产能减少，明年下半可能还有一波新行情。对此外资警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。

　　巴伦(Barronˋs)、报道，六月以来PC DRAM现货价大涨30%，光是过去两周就飙升9%；NAND Flash也供不应求，价格挺升，存储器大厂SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股价都因此一飞冲天。存储器市场还能热多久？Bernstein Research的Mark Newman说，一切要看三星。

　　Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等闲置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。

　　报告指出，未来几个月，DRAM类股仍会有好表现。不过供给紧俏、三星有巨大成本优势，又有闲置厂房可提升产能，预期三星可能会增加3D NAND和DRAM产出。

　　与此同时，SK海力士股价从五月中低点大涨逾50%，JP Morgan的JJ Park建议应该获利了结。他说就算DRAM价格维持高档，SK海力士需要砸钱盖厂房，生产3D NAND，毛利会受冲击，不看好未来股价表现。

　　SK海力士22日下跌0.13%收在39,350韩元。今年迄今飙涨27.97%。

　　明年下半DRAM供给可能会供不应求，存储器厂商转进20纳米制程的产能损失，或许会让DRAM陷入供给短缺，炒热新行情。

　　韩媒、报道，半导体和投资银行的业界消息指出，2017年DRAM需求预料将年增19.3%，不过2017年DRAM每月产量将减少2万组，从当前的105万组、2017年降至103万组，主要是制程转换造成产能减少。不仅如此，产程转换的供给成长率以往大约是30%，2017年成长率可能减至10%，加剧供给不足问题。

　　据了解，明年上半年是淡季，DRAM可能会略为供给过剩。不过随着美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)转进20纳米，产出减少；下半年传统旺季到来时，业者又未增加投资，DRAM将由供给过多变为供给不足。