长电科技是中国本土最大的封装测试企业，也是国内封装测试行业首家上市公司。在硅穿孔(TSV)、RF SiP封装及测试、3D Wafer-Level RDL、铜凸柱封装、高密度铜线WB及FC BGA、预包封互连系统、3D芯片及封装堆叠、超薄芯片减薄及堆叠(最薄50微米)、MEMS多芯片封装等先进封装技术上，长电科技都有着自己的独到之处。

“现在越来越多的客户采用8寸乃至12寸晶圆进行量产芯片设计，作为封装测试企业，长电自然要跟随客户需求，对其进行支持。” 长电展台工程师表示。

为了服务好客户，长电需要和客户进行深度合作，很多时候要和客户工程师进行联合办公，共同解决芯片封装中存在的问题。“尤其是对于手机企业来说，集成度越来越高，他们会提出很多定制化、个性化需求，这就需要我们及时跟进，有针对性的提供封装、测试方案。” 长电展台工程师介绍说。

记者了解到，今年7月，中芯长电半导体有限公司14纳米凸块加工量产仪式在江阴举行。这标志着我国半导体制造的中段工艺推进到了国际最先进的量产工艺技术产业链。中芯长电半导体是由中芯国际、长电科技、国家集成电路产业投资基金、美国高通公司共同投资建设的国内首条12英寸中段硅片制造项目。

目前中芯长电半导体成为国内第一家，也是唯一一家可以提供14纳米凸块加工中段硅片制造服务的公司。凸块加工是中段硅片制造的基本工艺之一，该技术在强调高性能、低功耗、小尺寸的移动智能芯片中被广泛地应用，是半导体制造技术的重要发展方向之一。

中芯长电14nm项目的成功， 将进一步提升长电整体竞争力实力，半导体中段和后段生产工艺可以实现完美对接。

“现在芯片封装测试技术发展很快，一些客户提出了将芯片裸片直接封装在PCB板中的设计，这对于封装技术要求非常高，我们也需要及时跟进。” 长电展台工程师表示。

此外，对比国内客户和国外客户的设计需求，长电展台工程师坦诚的表示：“在电子领域，我们和国际先进水平的差距还很大，有一些领域可以说还有几十年的差距。目前国际公司对于芯片的集成度要求非常高，都在使用最新的生产工艺、封装测试技术。而国内企业大多数更加重视低成本，对于新技术的研发、引入还是相对缓慢。”