中国，上海—2016年11月15日—灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”），今天宣布其YouPHY-DDR系列DDR4，DDR3/LPDDR3子系统通过了中芯国际40纳米低漏电工艺流片验证。根据实测数据，YouPHY-DDR子系统为客户带来了低功耗、小面积的高速DDR方案，其传输速率成功地在DDR4标准上实现了2400 Mbps，在DDR3/LPDDR3标准上实现了2133 Mbps。

             　　DDR4 2400Mbps 眼图            LPDDR3 2133Mbps 眼图

　　YouPHY-DDR是灿芯半导体带来的一个完整DDR解决方案，不仅包括DDR控制器（controller），PHY和I/O，而且包括特别开发的调试和测试软件，是一个完整的子系统。该方案是基于中芯国际从40纳米到28纳米的各种先进工艺而开发，可支持DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4等应用，支持从2133Mbps 到3200Mbps的数据传输速率。其特有的动态自校准逻辑（DSCL）和动态自适应比特校准技术(DABC)，可自动补偿芯片级、封装级、板级和存储器级别的工艺/电压/温度（PVT）波动而产生的器件性能差异，以及实现传输字节间的斜交自动补偿。YouPHY-DDR可以为客户提供最高性能、最低功耗、最小面积和最快上市时间的DDR接口IP方案。

　　基于独特的技术，灿芯半导体将会持续为客户提供先进的高性能、高可靠性的DDR接口IP解决方案，其可实现3200 Mbps传输速率的28纳米DDR/LPDDR4将会很快通过流片验证。我们相信YouPHY-DDR将会是您DDR接口IP的最佳方案选择。

　　您可以通过访问我们的主页www.britesemi.com或直接发送邮件到sales_bs@britesemi.com联系我们，以获得更多的信息。