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安森美:最新能效标准下电源管理的路要怎么走

2017-01-17

    物联网(IoT)由数十亿“物”连接到互联网,其中每一物都必须被供电,因此如何降低整体功耗变得非常关键。

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安森美半导体中国区应用工程总监 吴志民

    第六级能效标准需要新的开关控制器

    一般来说,物联网的电源来源于电池或AC-DC转换。对于AC-DC转换,监管机构强制实行日益严格的能效和空载功耗要求,如美国能源部第六级(DoE level VI)能效标准。半导体厂商需推出新的开关控制器以符合最新能效标准。安森美半导体推出了NCP1340/1新一代准谐振开关控制器,具有X2电容放电能力,开关电压谷底锁定达第六谷底和转换至频率折返模式以降低开关损耗。该新的IC使我们客户的设计能轻易满足美国能源部最新的第六级(DoE level VI)标准。

    氮化镓产品更适用于高端电源

    氮化镓(GaN)目前逐渐被采用,有高压600 V或650 V常断型GaN晶体管,可提供比硅MOSFET更低的导通和开关损耗。由于GaN器件的价格仍比硅MOSFET高,所以被采用于需要超高能效或功率密度的高端电源。

    电动汽车为电池管理带来新的机遇

    在电动车内部有大量的半导体成分。其中,最高的价值来自驱动电机逆变电路的功率半导体模块。相信电动车接替传统车辆还需要一段时间。采用48 V总线的轻度混合动力车正日渐普及,除了驱动带式起动发电机(BSG)的中压(如80 V)功率模块,48 V/12 V双向DC-DC转换器给安森美半导体带来许多中压MOSFET商机。

    除了早前推出的新一代AC-DC开关控制器NCP1340/1,安森美半导体将推出一系列高压(达80 V)、高电流(达15 A)的同步整流开关稳压器,适用于电信和工业应用。另外,在功率分立器件方面,2017年将推出第三代超结MOSFET和碳化硅(SiC) MOSFET系列。


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