在三星宣布10nm、7nm节点之外会推出8nm、6nm优化版工艺之后，TSMC日前也公布了该公司的一些工艺进展情况，10nm工艺已经进入量产阶段，没多少秘密可说了，但是未来的7nm节点看点就多了。TSMC表示第一代7nm工艺制造出的256Mbit SRAM芯片良率已达76％，ARM公司据说正在使用新的设计制造4GHz ARM处理器了此外，TSMC的7nm也会发展多代产品，但是增强版7nm工艺才会使用EUV工艺，第一代并不会。

TSMC、三星以及Intel都会量产10nm工艺，不过10nm工艺主要优势是低功耗，而且从TSMC和三星的进度来看，他们的10nm工艺过渡意味浓厚，2018年就会被7nm工艺接力取代了，而7nm被公认为是高性能工艺，影响会比10nm工艺深远得多，也是各大晶圆厂争夺的重点，跳过10nm工艺的GlobalFoundries及大陆的中芯国际都会投入7nm之争中。

根据TSMC最近公布的一些数据，汇总下他们在7nm节点的一些进展和动向：

·TSMC此前说他们的7nm工艺良率“健康”，这次又给出了具体的证据，7nm生产的256Mbit SRAM芯片良率达到了76％，这个良率确实是很高的。

·7nm表现如此之好，以致于使用新的设计流程可以制造出频率超过4GHz的Cortex－A72处理器。作为参考的是，目前16nm工艺下A72／A73核心频率普遍在2．5GHz以内，华为、联发科高端处理器莫不如此，高通自研的Kryo架构频率也是如此。

·TSMC的7nm工艺下个月开始风险试产，5月份预计会有12款芯片流片。

·目前的7nm工艺还是第一代，并不会使用EUV工艺，而使用EUV工艺的是增强版7nm工艺，TSMC表示该工艺相比初代7nm可以提升10％的性能或者15％的能效，这种高端工艺主要是给苹果这样的客户使用的。

·TSMC预计增强版7nm工艺会在2019年大规模量产。