三星与格罗方德(GF)都以攻击态势进军晶圆代工事业，其中以台积电为假想敌的三星，更宣称将比台积电更早推出10nm的方案，也会更早导入EUV的设备，希望在几年内翻转晶圆代工产业被台积电独占利益的格局。

格罗方德也以新的22nm FD-SOI工程架构投入新的战局，除了美国的工厂扩厂之外，落脚成都也让一度乏人问津FD-SOI，再受到瞩目！

市占率排名第一的台积电，最近也推出22nm ULP、12nm FFC、7+nm EUV等项目制程应战，其中又以7+nm EUV最受瞩目。而根据内部透露，台积电下半年7nm多家客户的十几个产品就将进入流片(tape-out)。

据悉，台积电原先在导入EUV时，抱持着消极的态度，甚至传言到5nm时才会导入。同时，台积电最新的EUV进展是，最新ASML曝光机台已经可以达到连续3天稳定处理超过1,500片12吋晶圆。

但最近面对格罗方德的积极攻击时，选择了22nm与12nm的制程，迎战GF的22nm FD-SOI，而三星的10nm计划，也深受台积电注意。

原先市场的认知是，EUV的设备到5nm世代才会真正导入，但三星与台积电同步提前到2018年的7nm世代便引用EUV的设备，获利的当然是ASML这些生产设备的业者，但也因为Multi-patterning的次数减少，对一些生产蒸镀设备的业者，就会有不利的影响。

至于FD-SOI的技术，原先是由ST Micro所研发的绝缘，并与FinFET具有相互替代效益的技术。在FinFET技术的排挤下，FD-SOI一度乏人问津，但在三星与格罗方德相继导入之后，似乎有了新的转机。此项技术在物联网相关应用时，具有低耗电的特色，而用于争取晶圆代工的商机上也颇受瞩目。