晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。  台积电这次重返内存市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般闪存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值得密切关注。

台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和eRRAM(嵌入式电阻式内存)分别订明后年进行风险性试产，主要采用22奈米制程，这将是台积电因应物联网、行动装置、高速运算计算机和智能汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。

这也是台积电共同执行长魏哲家向法人表达不会跨足标准型内存，不会角逐东芝分割成立半导体公司股权后，台积电再次说明内存的战策布局，将瞄准效能比一般DRAM和储存型闪存(NAND  Flash)的MRAM和RRAM。

稍早三星电子也在一场晶圆厂商论坛中发表该公司所研发的MRAM。  三星目前也是全球中率先可提供此次世代内存产品的内存厂，产品技术时程大幅领先台积电，三星的MRAM并获恩智浦导入。

据了解，台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代内存研发，多年来因难度高，商业化和竞争力远不如DRAM，导致多家厂商都都仅限于研发。

内存业者表示，次世代内存中，投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化内存(PRAM)等三大次世代内存，其中以MRAM的处理速度最快，但也是最难量产的内存类型。

不过，在DRAM和NAND  Flash制程已逼近极限，包括无人车、AI人工智能、高阶智能型手机和物联网等要求快速演算等功能，是台积电认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供相关嵌入及整合其他异质芯片技术，进行商业化量产。