根源上的工艺控制加速了多重曝光技术和EUV微影的整合

　　加利福尼亚州米尔皮塔斯，2017年9月13日 - KLA-Tencor公司（纳斯达克股票交易代码：KLAC）今天针对7纳米以下的逻辑和尖端内存设计节点推出了五款图案成型控制系统，以帮助芯片制造商实现多重曝光技术和EUV光刻所需的严格工艺宽容度。在IC制造厂内，ATL?叠对量测系统和SpectraFilm? F1薄膜量测系统可以针对finFET、DRAM、3D NAND和其他复杂器件结构的制造提供工艺表征分析和偏移监控。Teron? 640e光罩检测产品系列和LMS IPRO7光罩叠对位准量测系统可以协助掩模厂开发和认证EUV和先进的光学光罩。5D Analyzer? X1先进数据分析系统提供开放架构的基础，以支持晶圆厂量身定制分析和实时工艺控制的应用。这五款新系统拓展了KLA-Tencor的多元化量测、检测和数据分析的系统组合，从而可以从根源上对工艺变化进行识别和纠正。

　　“对于7纳米和5纳米设计节点，芯片制造商找到产品上叠对误差，线宽尺寸不均匀和易失效点（hotspots）的明确起因变得越来越困难，” KLA-Tencor公司全球产品集团执行副总裁Ahmad Khan表示：“除了曝光机的校正之外，我们的客户也在了解所有的光罩和芯片工艺步骤变化是如何影响图案成型的。通过自由提取全制造厂范围的量测和监测数据，IC工程师可以快速地确定并在发生工艺问题的地方直接控制。我们的系统，例如今天推出的五款系统，将为客户提供我们最尖端的技术，让他们的专家能够降低由每个晶片、光罩和工艺步骤所导致的图案成型误差。”

　　支持7纳米以下设计节点器件的五个新的图案成型控制系统包括：

　　ATL叠对量测系统采用独特的可调激光技术，具有1纳米波长分辨率，在工艺发生变化的情况下仍然可以自动保持稳定的高精度叠对误差测量，从而支持快速的技术提升以及生产过程中精确的晶圆处置。

　　SpectraFilm F1薄膜量测系统采用全新光学技术，对单层和多层薄膜厚度和均匀性进行高精度测量，用于监测生产中的沉积工艺，并提供带宽数据，从而无需等到生产线终端测试就可以提早预测器件的电性能。

　　Teron 640e光罩检测系统采用增强的光学系统、检测器和算法功能，可以捕捉关键的图案和颗粒缺陷并实现高产量检测，协助先进的掩模厂推动EUV和光学图案光罩的开发和认证。

　　LMS IPRO7光罩叠对位准量测系统采用新的操作模式，可以在很短的周期时间内精确测量器件内的光罩图案放置误差，从而为电子束掩模制版设备的校正实现了全面的光罩鉴定，并在IC制造厂减少了与光罩相关的器件叠对误差。

　　5D Analyzer X1数据分析系统提供了一个可扩展的开放式架构，可接收来自不同的量测和工艺设备的数据，以实现对全厂范围内工艺变化的先进分析、表征和实时控制。

　　ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1是KLA-Tencor独特的5D图案成型控制解决方案?的一部分，它还包括用于图案化晶圆形貌测量，工艺实测，线宽和器件轮廓测量，光刻和图案成型模拟，以及发现关键易失效点的系统。全球领先的IC制造商已经在使用ATL，SpectraFilm F1和5D Analyzer X1系统，来支持一系列图案成型控制的应用。通过升级和新设备安装，Teron 640e和LMS IPRO7进一步增加了KLA-Tencor在尖端掩模厂中众多的光罩检测和量测系统的安装数量。为了保持IC制造所需要的高性能和高产量，ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1均由KLA-Tencor的全球综合服务网络提供支持。有关五款新系统的更多信息，请参见先进图案成型控制网页。