主板上基本上都是N沟道的MOS管，一般我们的测量方法如下：黑表笔接D红表笔接S 有500欧姆左右的电阻。然后红黑对调：红笔接D黑笔接S  万用表显示"1"，一般这样我们就可以认为管子是好的。

       更保险的说：红黑表笔对调测量G 与D 、S除了黑笔接D 红笔接S有阻值以外~其他的接法都没有阻值！如果测量到某种接法阻值为"0"这时使用用镊子或表笔短接两脚放电~ 然后再测量！

电子元件之场管结型场效应管

一：场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）

二：场效应管工做原理

       是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小, 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,,反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vp表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值.见输入输出特性。
三：结型场效应管

       结场型场直流输入电阻可达10^6~~~~10^9欧姆，工做原理栅源电压Ugs控制漏极电源iD。

此图为N道沟，结场型场效应管。S源极、D漏极、G栅极（控制极）
从结型场效应管的结构可看出，我们在D、S间加上电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，则可以改变两个PN结阻档层(耗尽层)的宽度。由于栅极区是高掺杂区，所以阻挡层主要降在沟道区。故|UGS|的改变，会引起沟道宽度的变化，其沟道电阻也随之而变，从而改变了漏极电流ID。如|UGS|上升，则沟道变窄，电阻增加，ID下降。反之亦然。所以改变UGS的大小，可以控制漏极电流。这是场效应管工作的基本原理。

结型场应管的特点

(1) 是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态

(2) 结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型 栅场效应管代。

(3) 附图：