2017年10月25日，在第90届中国电子展期间， “第二届（上海）电源半导体技术论坛”于开幕当天下午成功举办。本次论坛由中电会展与信息传播有限公司、《电子技术应用》杂志主办，是IC China2017的重要活动之一。逾百名电源半导体产业相关人士共聚一堂，就新半导体材料及器件、电源高功率密度设计、电源集成技术等作了深入交流。

英飞凌科技(中国)有限公司工业功率控制高级经理陈子颖先生作了题为“SiC MOSFET ——技术、器件与应用”的报告，分析了SiC器件的优势，对SiC与硅功率半导体器件进行了全面的比较，指出碳化硅做成单极性器件比IGBT双极性器件的开关损耗大大降低，同时全面介绍了CoolSiC MOSFET的特性和产品计划。陈子颖先生介绍：“CoolSiC MOSFET具备独特的SiC MOSFET优势，即：卓越的栅极氧化层可靠性，最低的开关和导通损耗，更高的跨导带来简单的栅极驱动，4V的高阈值电压，以及配合特定应用要求的短路能力等。”

英飞凌科技(中国)有限公司工业功率控制高级经理陈子颖先生

ROHM（深圳）有限公司主管苏勇锦先生作了题为“ROHM SiC助力中国新能源发展”的报告，对SiC和SiC功率器件做了详细介绍，分析了SiC功率器件的特性和注意点，介绍了SiC功率器件的使用方法以及活用工具。

ROHM（深圳）有限公司主管苏勇锦先生

SiC器件的特性和注意点

华虹宏力分立器件科科长邢军军先生作了题为“深耕卓越功率技术，制造绿色‘芯’未来”的报告，对IGBT技术和超级结技术作了深入分析。邢军军先指出，第三代超级结MOSFET有着明显优势，比如导通电阻小、尺寸小、从平面式工艺到垂直式的转变等，会使得超级结MOSFET越来越受欢迎。

华虹宏力分立器件科科长邢军军先生

VICOR高级应用工程师吴际先生则介绍了VICOR支持数据中心的合封电源解决方案。吴际先生介绍，Vicor 合封电源方案解决了传统“最后一英寸”给 XPU 性能带来的障碍，不仅可提高性能，简化主板设计，而且还可帮助 XPU 实现以前根本无法实现的性能，助力人工智能的发展。

上海市电源学会理事长、大连海事大学博导汤天浩教授作了题为“电力电子在节能减排与新能源的应用与发展”的报告。汤天浩教授认为，电力电子技术是新能源发电系统的电能变换、并网、电能质量、储能等装置的关键技术，而电力电子器件是变流装置的核心。新的器件虽然已经取得了研究进展，但实现其广泛的商业应用还有很多问题亟待解决，特别是需要在材料、制造和工业等技术领域的取得突破。

上海市电源学会理事长、大连海事大学博导汤天浩教授