《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 模拟设计 > 业界动态 > 我国“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术”取得突破

我国“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术”取得突破

2017-12-25

科技部消息,光电子集成芯片及其材料关键工艺技术是新材料领域重要的发展方向之一,是未来高速大容量光纤通信、全光网络、下一代互联网、宽带光纤接入网所广泛依赖的技术。“十二五”期间,863计划新材料技术领域支持了“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术”主题项目。近日,863新材料技术领域办公室在北京组织专家对该主题项目进行了验收。

“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术” 项目针对光子集成中的关键问题,发展了新的器件结构和集成方法,在单一芯片上研究了多波长解复用阵列波导光栅(AWG)与波导探测器阵列的高效耦合集成方法及工艺,有效解决了结构和工艺兼容问题,实现了多波长并行高速波导探测器芯片集成;开展了硅基二氧化硅AWG、硅基PIN型可调光衰减器(VOA)器件制备工艺和集成芯片关键技术研究,制备出硅基AWG与VOA集成芯片。通过项目的产业化实用技术研究,形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生产能力。

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。