据台湾媒体报道，美光大动作在美对联电及福建晋华可能窃取及使用营业秘密一事提出诉讼，联电总经理简山杰对此予以驳斥，强调联电早年就生产过DRAM，本身拥有不少DRAM专利，事隔15年后决定自主研发DRAM技术， 目的是为了替台湾半导体产业落实技术扎根。 以下是专访纪要。

　　问：联电重新投入DRAM技术研发原因为何？

　　答：联电的本业是晶圆代工，顺应市场趋势并强化晶圆代工的服务，联电研发DRAM的经验有助于新世化内存的发展，包括MRAM（磁阻式随机存取内存）等，等于可以抢先进入有潜力的新市场。 再者，联电是借外部力量来研发DRAM技术，福建晋华支持研发费用，双方共同投入研发设备及技术，可快速研发速度，不会挤压联电的获利表现。

　　联电要独立自主研发DRAM技术，另一个重要意义是为台湾半导体产业落实技术扎根，这是当年联电与世界先进完成自主研发DRAM技术后，相隔15年后再次有台湾企业投入难度最大的DRAM研发工作，意义格外重大。

　　问：美光对联电提告的关键在于联电多年未涉及DRAM研发及生产，联电的技术来源为何？

　　答：联电要自主研发DRAM技术。 联电在晶圆代工市场多年，长期投入研发已有很好的技术实力，连最先进囗最复杂的14nm逻辑IC制程都自主研发成功并开始投产，而且许多DRAM技术与联电既有的逻辑技术相通。 至于在DRAM特有技术部分，则透过公开的技术报告、逆向工程方式了解，再依据开发路线落实。 事实上，DRAM工作原理没有改变，现今的DRAM只是藉由更先进的制程技术，达到每位更低成本的目标，操作原理与15年前研发DRAM时相同。

　　问：联电的DRAM事业的营运模式为何？

　　答：联电目前与国外DRAM设计公司合作，以达成及加速DRAM技术研发。 不同于三大DRAM厂有自己的设计团队，联电本业是晶圆代工，所以与DRAM设计公司合作最符合联电的营运模式，与经验丰富的DRAM设计团队合作，可以减少研发过程中的许多不确定性因素，加快问题解决的速度。 再者，联电未来的DRAM技术研发成功后，会授权给晋华生产，但联电并没有投资晋华，未来也可争取其它DRAM代工订单。 联电目前没有自建DRAM产能计划，不会与台湾现有DRAM厂商竞争。

　　问：联电自行研发的DRAM技术与美光的DRAM技术并不相同？

　　答：联电不了解美光制造DRAM的内容，因此无从说明两者之差异，但根据第三方TechInsights于2013年发表文章，有分析美光、尔必达、三星、SK海力士在30奈米制程世代的DRAM，美光采用直行式主动区（Active Area，AA）设计，但联电DRAM选择交错式AA设计，与美光的记忆胞架构明显不同。 DRAM的记忆胞是技术上最核心之处，选择不同的记忆胞架构，代表了不同的研发道路，证明联电和美光的技术核心不相同。

　　集微网消息，12月初美光科技在美国加州提起民事诉讼，控告联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密。

　　美光表示，该公司依据保护营业秘密法，与反勒索及受贿组织法的民事条款，控告联电与福建晋华窃取其商业机密及其他不当行为；美光将积极保护其全球知识产权，以一切法律途径，遏止任何不法滥用行为。

　　去年五月，联电宣布与福建省晋华集成电路公司签约合作，联电接受晋华委托开发DRAM相关制程技术。