华虹半导体有限公司今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。

　　华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存 (90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上，于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸，较第一代减小约25%，为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP设计架构，在保证高可靠性 (即10万次擦写及25年数据保持能力) 的同时，提供了极小面积的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积，从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量，尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品，90nm G2 eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩，使得制造成本更低。

　　目前，90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产，成功用于大规模生产电信卡芯片，并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。

　　华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工艺的成功量产，标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一，长期以来凭借着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂，华虹半导体将坚持深耕，不断优化工艺，升级平台，持续领航智能IC卡代工领域，并大力发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。”

　　关于华虹半导体有限公司

　　华虹半导体（股份代号：1347.HK）是全球具领先地位的200mm纯晶圆代工厂，主要专注于研发及制造专业应用的200mm晶圆半导体，尤其是嵌入式非易失性存储器及功率器件。集团的技术组合还包括RFCMOS、模拟及混合信号、电源管理及MEMS等若干其他先进工艺技术。根据IHS的资料，按2016年销售收入总额计算，集团是全球第二大200mm纯晶圆代工厂。集团生产的半导体被应用于不同市场（包括电子消费品、通讯、计算机、工业及汽车）的各种产品中。利用自身的专有工艺及技术，集团为多元化的客户制造其设计规格的半导体。通过位于上海的3座晶圆厂，集团目前的200mm晶圆加工能力在中国名列前茅，截至2017年9月30日合计约为每月166,000片。同时，考虑到工艺的性能、成本及制造良率，集团亦提供设计支持服务，以便对复杂的设计进行优化。

　　华虹半导体有限公司现时主要业务透过位于上海的子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司（“华虹宏力”）开展。而华虹宏力由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成。