由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装。

　　这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。这亦为武汉市以及东湖高新区打造以芯片-显示-智能终端为核心的万亿级高端消费电子产业集群目标迈出的关键性一步。

　　据悉，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并荣获中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

　　为填补国内主流存储器领域空白，保障国家信息安全，国家存储器基地项目于2016年12月30日在武汉未来科技城正式开工建设。

　　该项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，将建设3座全球单座洁净面积最大的三维NAND Flash生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。其中一号生产及动力厂房已于去年9月提前封顶，年内即将投入使用。项目（一期）达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元，有望解决我国受制于他人的“工业粮食”痛点问题，并带动国产设备等产业链上下游企业迅猛发展。

　　据了解，目前东湖高新区已聚集以长江存储、武汉新芯为龙头的集成电路企业百余家，2017年实现主营业务收入135亿元，专业从业人员近万人。未来，在加快实现存储器芯片量产的同时，东湖高新区还将加大设计、设备、材料、封测、存储控制等企业的招引力度，打造存储器全产业链。

　　在发展集成电路产业的同时，武汉东湖高新区还以武汉天马、武汉华星光电为龙头，推动新型显示领域发展，以华为、联想 MOTO、小米为龙头，推动智能终端领域发展，目标是在“芯片-显示-终端”核心领域，聚集一批龙头企业和优质中小企业，形成产业创新发展策源地，打造完整产业生态，形成万亿产业集群。