地球上除了IBM、英特尔、台积电、三星具有强大的半导体工艺研发技术实力之外，比例微电子中心IMEC也是全球知名的半导体研发中心，国内的14nm FinFET工艺就是跟他们合作的。在新一代半导体工艺上，除了三星提及5nm及之后3nm工艺之外，其他家都没有具体的5nm、3nm工艺细节披露，IMEC上周则宣布了一项新的技术，制造了全球最小的SRAM芯片，面积缩小了24%，可适用于未来的5nm工艺。

由于结构更简单等原因，每一代新工艺中研发人员往往会使用SRAM芯片做试点，谁造出的SRAM芯片核心面积更小就意味着工艺越先进，此前的记录是三星在今年2月份的国际会议上宣布的6T 256Mb SRAM芯片，面积只有0.026mm2，不过IMEC上周联合Unisantis公司开发的新一代6T 256Mb SRAM芯片打破了这个记录，核心面积只有0.0184到0.0205mm2，相比三星的SRAM微缩了24%。

　　面积能大幅缩小的原因就在于使用了新的晶体管结构，Unisantis与IMEC使用的是前者开发的垂直型环绕栅极(Surrounding Gate Transistor，简称SGT)结构，最小栅极距只有50nm。研究表明，与水平型GAA晶体管相比，垂直型SGT单元GAA晶体管面积能够缩小20-30%，同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。

　　目前IMEC正在跟Unisantis公司一起定制新工艺的关键工艺流程及步骤，通过一种新颖的工艺协同优化DTCO技术，研发人员就能使用50nm间距制造出0.0205mm2的SRAM单元，该工艺能够适用于未来的5nm工艺节点。

　　此外，该工艺还能使用EUV光刻工艺，减少工艺步骤，从而使得设计成本与传统FinFET工艺相当。