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三星DRAM延后扩产,多方受益

2018-08-20
关键词: 三星 DRAM 记忆体

全球记忆体龙头三星原订本季完成每月增产3万片DRAM计划,决定延至今年底,为DRAM价格形成有力支撑。随着三星新产能扩充脚步延后、供给获得节制,一般预料,DRAM价格在今年11月前都将持稳不坠,台系DRAM大厂南亚科、华邦电今年营收也将同步缴出创历史新高佳绩。


业界人士表示,DRAM价格截至目前为止已连涨九季,是历来产业最长的多头,但三星、SK海力士及美光等三大指标厂动态成为接下来市况走势关键。


近期已有市调机构示警,DRAM价格出现松动迹象,主要就是这些指标厂新产能陆续开出,进而终止多头走势。


据了解,三星原本规划在旗下LINE 16厂二楼进行扩产,建置一条月产6.5万片新产线,并于上半年完成第一阶段每月增产3.5万片,原订本季再增加另外的3万片,但此计划已决定延至今年12月再视情况启动。


三星未透露延后此次扩产时间的原因。业界分析,三星的财报当中,记忆体已是集团获利最大来源,占集团总获利比重高达78%,其中超过七成来自DRAM,在DRAM供需结构中,原本的供给缺口在各家去瓶颈填补下,逐渐缩小,导致近期市况开始松动。


据悉,三星考量若此时再开出每月3万片产能,将改变原本DRAM市场供不应求局面,恐进一步变成供给过剩,挑动市场敏感神经,导致DRAM价格转跌。


三星延后DRAM增产计划,也有法人圈认为进入1x/1y奈米微缩程后,技术难度提高,在良率未明显改善下,干脆延后。不过从多方角度分析,三星不愿破坏好不容易建立的DRAM获利模式,进而冲击集团整体获利,应该是最大关键。


记忆体业者分析,三星目前月产能逾40万片,每月增产3万片DRAM,等于让全球DRAM产能增3%,虽然下半年是DRAM备货旺季,市场通路端和电子应用端大厂却会等待三星扩建案再出手,导致第2季末市场买气趋于观望。


如今三星增产计划确定延后,说明三星维护DRAM价格持稳不坠的决心,预料将再激发观望一阵子的DRAM买盘出手,也为南亚科、华邦电等台湾DRAM相关业者下半年增添强大的订单动能,营运可期。


集邦咨询:DRAM价格已近高点


根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,2018年第二季由于供给吃紧情况延续,带动整体DRAM报价走扬,DRAM总营收较上季成长11.3%,再创新高。除了图像处理内存(graphicDRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温,带动价格有15%显著上涨外,其余各应用类别的内存季涨幅约在3%左右。


展望第三季价格走势,DRAMeXchange指出,PC-OEM厂已陆续在七月份议定合约价格。就一线大厂定价来看,均价已来到34.5美元,较前一季上涨约1.5%,涨幅已大幅收敛。从市场面观察,在需求端成长有限、供给端产能集中在下半年开出,加上现货价持续走跌的趋势下,预估第四季合约价恐难再有显著涨幅,亦显示整体DRAM价格的峰值(peak)已经到来。


观察全球DRAM大厂营收表现,三星稳坐产业龙头,营收再创历史新高,来到112.1亿美元,季增8.2%;SK海力士受惠于位元成长显著,营收较前季大幅成长19.5%,达76.9亿美元,亦帮助SK海力士于第二季夺回部分市占。两大韩厂第二季营收市占率分别为43.6%与29.9%,合计约73.5%。


美光集团仍旧维持第三,亦持续扮演价格领先者(priceleader),报价上涨幅度最高。然而因先前氮气事件,美光第二季位元出货仅与前一季相当,营收季增6.3%至55.4亿美元,增幅相对较小,市占率较前一季下滑1个百分点,来到21.6%。


观察原厂获利能力,因第一季基期较高,所以三星的涨价幅度在三大厂中最小。此外,因其1Ynm目前仅在客户验证,可能要到第三季中旬才能放量,因此第二季营业利润率维持在69%。反观另外两厂,持续受到价格上涨与制程微缩所带来的成本效益,SK海力士营业利润率从第一季的61%提升至63%,美光营业利润率则从58%拉升至60%,为首次三大原厂营业利润率皆突破6成水平。


然而,展望下半年,除了供给端产能逐渐开出、各厂1X/1Ynm比重逐步提高外,三星报价模式也转趋保守,皆暗示报价上涨的难度增加。此外,目前三大厂生产DRAM的平均毛利率已突破7成,已带给买方巨大的BOMcost压力,亦显示出原厂的获利能力可能已近高点。


由技术面观察,三星今年除了维持1Xnm制程高产出比重外,部分Line17扩产以及即将投入的平泽厂二楼DRAM产能,将继续往下一代1Ynm制程转进。随着平泽厂产能扩增,预期1X+1Ynm产出比重在今年底合计将达70%,并于2019年持续提升。SK海力士已于去年底导入1Xnm的生产,然进入1Xnm世代制程难度高,SK海力士目前仍致力于提升良率,扩厂计划则维持不变,中国无锡新建的第二座12英寸厂将于今年底前完工,2019上半年开始贡献产出。而美光方面,台湾美光内存(原瑞晶)1Xnm已完成100%转换,并将于明年直接转往1Znm,而台湾美光晶圆科技(原华亚科)则于第二季开始进行20nm往1Xnm的转换,预计今年底将可望有半数产能转往1Xnm生产,并于明年上半年全数导入。


台系厂商部分,南亚科第二季营收季增高达28.6%,除了归功于20nm带来明显的位成长和价格持续走扬外,第二季开始出清第一季的DDR3高库存亦是一大重点。20nm的成本效益更带动营业利润率来到46.8%,较上季成长2.5个百分点。然而,由于DRAM报价上涨不易,加上要开始摊提扩厂的折旧费用,南亚科未来的获利能力恐受压缩。


力晶科技方面,由于替晶豪科、爱普等IC设计业者代工的比重提高,力晶本身DRAM营收较上季下滑13.5%;华邦方面DRAM营收季成长8.7%,主要受惠于38nm比重持续提高。


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