全球第二大晶圆代工厂商GlobalFoundries(GF)宣布无限期中断7纳米投资计划后，牵动全球晶圆代工版图变化。三星电子(Samsung Electronics)传正加速7纳米极紫外光(EUV)制程量产，是否能顺利扩展晶圆代工事业版图值得观察。

　　综合多家韩媒的报导，GF意外宣布退出7纳米战场后，预告10纳米以下制程将成台积电、三星两强竞争态势。尽管目前台积电在7纳米制程量产领先，但晶圆代工排名第四的三星，也计划加速转进7纳米制程，期望在晶圆代工领域更上层楼。

　　台积电已开始采7纳米制程为苹果(Apple)等厂商进行代工，韩国业界观察，三星正在加速7纳米制程量产，华城EUV产线预计2018年下半进入试产，力拚2019年尽快正式量产。

　　原先三星规划华城EUV产线2020年正式量产，但在台积电率先宣布挺进7纳米的压力下，三星不得不加速华城EUV产线量产时程。

　　根据IHS Markit的资料，2017年晶圆代工市占第一名为遥遥领先的台积电(50.4%)，其余依序是GF(9.9%)、联电(8.1%)及三星(6.7%)，但在台积电之后的第二名至第四名厂商市占率差距相当小。三星尽管目前排名第四，正计划透过强化研发与投资，瞄准全球晶圆代工二哥宝座。

　　市场目前多以10纳米级产品为主，率先进入7纳米制程，虽不代表市占率能够快速上升，如从长远技术发展层次而言，先进制程未来恐怕只剩台积电与三星两强竞争。稍早三星举行晶圆代工论坛，表示2019年越过7纳米后，2020年之后期望朝3纳米左右阶段迈进。

　　不同于台积电7纳米分阶段导入EUV设备，三星则是直接采用EUV设备，风险相对较大。此外，三星规划5纳米制程将采Smart Scaling制程，相较7纳米面积与耗电可望进一步减少。三星指出4纳米将是采FinFET的最后阶段，预计到了3纳米，将采次世代晶体管结构多重桥接型通道(Multi-Bridge-Channel FET；MBCFET)。

　　身为全球存储器龙头的三星，其实对晶圆代工深具企图心。2017年三星晶圆代工营收为46亿美元，三星期望2018年能够翻倍，达成营收100亿美元目标，顺利坐上晶圆代工二哥王座。因此，2017年三星先将晶圆代工组升格为事业部，之后大举投资美国奥斯汀晶圆代工厂，2018年初宣布斥资6.5兆韩元(约58亿美元)于韩国华城建立EUV产线。

　　韩国半导体业界相关人士指出，台积电、三星及英特尔(Intel)等晶圆代工事业成败系于EUV产线，三星身为整合元件制造商(IDM)，其实已累积相当多EUV产线实作技术诀窍，2019年三星7纳米制程一旦确保稳定良率之后，势将与台积电在高附加价值产品群展开激烈厮杀。