根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，时序进入9月下旬，正值各家厂商议定第四季合约价的关键时机，但受到位元产出持续增加，以及旺季需求并未明显增温的影响，价格走弱的态势更为明显，DRAM第四季合约价跌幅将由原先预估的季跌1~3%，扩大至约5%。

　　DRAMeXchange资深协理吴雅婷指出，DRAM价格在过去九个季度期间大幅上扬，但从今年第三季起价格已经开始走弱，其中PC DRAM与服务器内存价格涨幅缩小至1~2%，而行动式内存价格在旺季仅持平开出，绘图用内存更率先出现跌价。观察现货市场状况，价格从年初一路下滑，并在今年6月底开始正式低于合约价，而目前的现货价格已经低于合约价格约10%，显示后续合约价格仍将继续下跌。

　　服务器内存跌幅扩大，DRAM整体市况转弱

　　从服务器内存市场来观察，受惠于平台转换与数据中心建设带动，服务器需求比往年来的热络，但今年上半年因DRAM供给仍吃紧，导致终端纷纷以超额订单(double booking)的方式维持稳定货源。第三季随着原厂持续提升服务器产品的产出比重，供给达标率已转趋饱和。展望第四季，除了服务器需求出现杂音外，目前由于渠道价格持续开低，韩系原厂已率先降低第四季价格目标，预估季跌幅将达5%左右，高于原先预期的2%。

　　与服务器内存产品属性较为相近的PC DRAM同样呈现供过于求，再加上Intel新平台供货不足影响笔电出货状况，导致PC DRAM第四季价格跌幅也上看5%。利基型内存则受到中美贸易摩擦带来的不确定性因素影响，需求已出现下修，价格也从九月开始下跌，第四季的跌幅更可能超过PC DRAM与服务器内存。

　　占整体供货比重最大的行动式内存价格同样呈现下滑趋势。展望第四季，虽然在新款iPhone出货的拉升下，需求逐渐增温，但由于新款机种的定价高于市场预期，销售预估转为保守，因此难以反转DRAM供过于求的态势。预估分离式(discrete)行动式内存第四季价格跌幅约在3%，eMCP解决方案则因NAND Flash价格下滑更为快速，整体跌幅可能扩大至8%。